TC2591
REV4_20070507
1 W法兰瓷封装的GaAs PHEMT功率场效应
特点
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1在6 GHz W的输出功率
12分贝典型的线性功率增益为6 GHz的
高线性度： IP3 = 40 dBm的典型在6GHz
高功率附加效率：
43％的标称PAE在6GHz
适用于高可靠性的应用
击穿电压： BV
DGO
≥
15 V
LG = 0.35
µm,
WG = 2.4毫米
VP紧控制范围
高RF输入功率处理能力
100％的直流测试
法兰瓷封装
PHOTO扩建
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描述
该TC2591封装与TC1501假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ）芯片。
凸缘陶瓷封装提供了砷化镓场效应管的最佳热传导性。所有器件100 ％的直流
和RF测试，以保证稳定的质量。典型的应用包括高动态范围功率放大器
商用和军用高性能功率应用。
电气规格（T
A
=25
°
C)
符号
P
1dB
G
L
IP3
PAE
I
DSS
g
m
V
P
BV
DGO
R
th
条件
输出功率1分贝增益压缩点，
f
= 6GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 240毫安
线性功率增益，
f
= 6GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 240毫安
截取点的3阶互调的，
f
= 6GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 240毫安， * P
SCL
= 17 dBm的
功率附加效率为1dB压缩功率，
f
= 6GHz的
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V，I
D
= 4.8毫安
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
-1.2毫安
热阻
15
rd
民
29.5
11
典型最大单位
30
12
40
43
600
400
-1.7**
18
18
DBM
dB
DBM
%
mA
mS
伏
伏
° C / W
注： * P
SCL
：单载波电平的输出功率。
**对于的夹断电压范围的严格控制，我们把TC2591到3的型号，以适应客户的设计要求
（ 1 ） TC2591P1519 ： VP = -1.5V至-1.9V （ 2 ） TC2591P1620 ： VP = -1.6V至-2.0V （ 3 ） TC2591P1721 ： VP = -1.7V至-2.1V
如果需要的话，用户可以指定在购买文件的要求。对于特殊要求的副总裁，请与工厂联系了解详细信息
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th
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