TC2471
REV4_20070906
0.5瓦的低成本封装的GaAs PHEMT功率场效应
特点
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
在6 GHz 0.5 W的输出功率
14分贝典型的线性功率增益为6 GHz的
高线性度： IP3 = 37 dBm的典型在6GHz
高功率附加效率：
的40 ％额定的PAE在6 GHz
适用于高可靠性的应用
击穿电压： BV
DGO
≥
15 V
LG = 0.35
µ
米中，WG = 1.2毫米
VP紧控制范围
高RF输入功率处理能力
100％的直流测试
PHOTO扩建
•
低成本陶瓷封装
描述
该TC2471封装与TC1401假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ）芯片。该
铜基陶瓷封装提供了砷化镓场效应管优良的热传导性。所有器件100 ％的直流
经过测试，以保证稳定的质量。典型的应用包括高D
ynamic系列功率放大器
商用和军用高性能功率应用。
电气规格（T
A
=25
°C)
符号
P
1dB
G
L
IP3
PAE
I
DSS
g
m
V
P
R
th
条件
输出功率1分贝增益压缩点，
f
= 6GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 120毫安
线性功率增益，
f
= 6GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 120毫安
的3截点
rd
阶互调，
f
= 6GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 120毫安， * P = 14 dBm的
SCL
功率附加效率为1dB压缩功率，
f
= 6GHz的
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V = 0 V
GS
跨在V
DS
= 2 V, V = 0 V
GS
夹断电压在V
DS
= 2 V，I
D
= 2.4毫安
15
热阻
民
典型值
最大单位
26.5
12
27
14
37
40
300
200
-1.7**
18
30
DBM
dB
DBM
%
mA
mS
伏
伏
° C / W
BV
DGO
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
-0.6毫安
注意： *
P
SCL
：单载波电平输出功率
**
对的夹断电压范围的严格控制，我们把TC2471到3的型号，以适应客户的设计要求
（ 1 ） TC2471P1519 ： VP = -1.5V至-1.9V （ 2 ） TC2471P1620 ： VP = -1 。 6V至-2.0V （ 3 ） TC2471P1721 ： VP = -1.7V至-2.1V
如果需要的话，用户可以指定在购买文件的要求。对于特殊要求的副总裁，请与工厂联系获取详细信息。
TRANSCOM ，INC。
90 Dasoong 7
th
道为基础的科学台南工业园，惺她享，台南县，台湾， ROC
网站： www.transcominc.com.tw
电话： 886-6-5050086
传真： 886-6-5051602
P 1 /3
TRANSCOM [ TRANSCOM, INC. ]
