TC2281
REV4_20070504
低噪声和高动态范围封装的GaAs场效应管
特点
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0.5分贝典型噪声系数为12 GHz的
关联度高增益：嘎= 12 dB的典型，在12 GHz的
21.5 dBm的典型功率在12GHz
12分贝典型的线性功率增益为12 GHz的
击穿电压： BV
DGO
≥
9 V
LG = 0.25
µm,
WG = 300
µm
VP紧控制范围
高RF输入功率处理能力
100％的直流测试
微-X金属陶瓷封装
PHOTO扩建
描述
的TC2281是装在一个陶瓷微-X封装TC1201高性能场效应晶体管
PHEMT芯片。它具有非常低的噪声系数，高相关的增益和高的动态范围，使得该设备
适合于在低噪声放大器。所有器件100 ％的直流测试，以保证稳定的质量。
电气规格（T
A
=25
°
C)
符号
NF
G
a
P
1dB
G
L
I
DSS
g
m
V
P
BV
DGO
R
th
条件
噪声系数在V
DS
= 4 V，I
DS
= 25毫安，
f
= 12GHz的
= 12GHz的
= 12GHz的V
DS
= 6 V，I
DS
= 40毫安
10
20.5
11
民
典型值
0.5
12
21.5
12
90
100
-1.0*
最大
0.7
单位
dB
dB
DBM
dB
mA
mS
伏
伏
° C / W
在V相关的增益
DS
= 4 V，I
DS
= 25毫安，
f
线性功率增益，
f
输出功率1分贝增益压缩点，
f
= 12GHz的V
DS
= 6 V，I
DS
= 40毫安
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V，I
D
- 0.6毫安
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
= 0.15毫安
热阻
9
12
150
绝对最大额定值（T
A
=25
°
C）典型噪声参数（T
A
=25
°
C)
V
DS
= 4 V，I
DS
= 25毫安
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
GS
P
in
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
栅电流
RF输入功率， CW
连续耗散
通道温度
储存温度
等级
7.0 V
-3.0 V
I
DSS
300
µA
21 dBm的
400毫瓦
175
°C
- 65
°C
到+175
°C
频率
（千兆赫）
2
4
6
8
10
12
14
16
18
NF
选择
（ dB）的
0.35
0.38
0.40
0.46
0.52
0.57
0.69
0.82
1.02
G
A
（ dB）的
24.8
19.2
16.0
13.7
12.1
11.1
10.6
10.4
10.3
MAG
0.83
0.73
0.66
0.60
0.55
0.50
0.47
0.44
0.40
Γ
选择
昂
38
75
105
130
154
180
-153
-121
-81
Rn/50
0.40
0.32
0.26
0.21
0.17
0.15
0.14
0.15
0.17
*对于的夹断电压范围的严格控制，我们把TC2281到3的型号，以适应客户的设计要求
（ 1 ） TC2281P0710 ： VP = -0.7V至-1.0V （ 2 ） TC2281P0811 ： VP = -0.8V至-1.1V （ 3 ） TC2281P0912 ： VP = -0.9V至-1.2V
如果需要的话，用户可以指定在购买文件的要求。对于特殊要求的副总裁，请与工厂联系获取详细信息。
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90 Dasoong 7
th
道为基础的科学台南工业园，惺她享，台南县，台湾， ROC
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电话： 886-6-5050086
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