TC2101
REV4_20070504
塑料封装的低噪声砷化镓PHEMT场效应管
特点
!
1.5分贝典型噪声系数为12 GHz的
!
关联度高增益：嘎= 8 dB的典型，在12 GHz的
!
18.5 dBm的典型功率在12GHz
!
9分贝典型的线性功率增益为12 GHz的
!
LG = 0.25
µm,
WG = 160
µm
!
VP紧控制范围
!
高RF输入功率处理能力
!
100％的直流测试
!
低成本的塑料微型X包
PHOTO扩建
描述
该TC2101是装在一个塑料封装， TC1101 PHEMT芯片高性能场效应晶体管。
它的低噪声系数，使该器件非常适合于低噪声放大器。所有设备都100％的直流测试
保证稳定的质量。
电气规格（T
A
=25
°
C)
符号
NF
G
a
P
1dB
G
L
I
DSS
g
m
V
P
BV
DGO
R
th
条件
噪声系数在V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安，
f
= 12GHz的
= 12GHz的
= 12GHz的
V
DS
= 6 V，I
DS
= 25毫安
7
17.5
8
民
典型值
1.5
8
18.5
9
48
55
-1.0*
最大
1.8
单位
dB
dB
DBM
dB
mA
mS
伏
伏
° C / W
在V相关的增益
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安，
f
线性功率增益，
f
= 12GHz的
输出功率1分贝增益压缩点，
f
V
DS
= 6 V，I
DS
= 25毫安
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V，I
D
= 0.32毫安
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
= 0.08毫安
热阻
9
12
250
绝对最大额定值（T
A
=25
°
C)
*对于的夹断电压范围的严格控制，我们把
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
GS
P
in
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
栅电流
RF输入功率， CW
连续耗散
通道温度
储存温度
等级
7.0 V
-3.0 V
I
DSS
160
µA
18 dBm的
150毫瓦
175
°C
- 65
°C
到+175
°C
TC2101为3个型号，以适应客户的设计
需求
（ 1 ） TC2101P0710 ： VP = -0.7V至-1.0V
（ 2 ） TC2101P0811 ： VP = -0.8V至-1.1V
（ 3 ） TC2101P0912 ： VP = -0.9V至-1.2V
如果需要，客户可以指定采购需求
文档。对于特殊要求的副总裁，请联系工厂
了解详细信息。
TRANSCOM ，INC。
90 Dasoong 7
th
道为基础的科学台南工业园，惺她享，台南县，台湾， ROC
网址：
www.transcominc.com.tw
电话： 886-6-5050086
传真： 886-6-5051602
1/4
TRANSCOM [ TRANSCOM, INC. ]
