TC1806
REV4_20070502
5W高线性和高效率砷化镓功率场效应管
特点
!
5W典型功率在6 GHz
!
线性功率增益：摹
L
= 10 dB（典型）在6GHz
!
高线性度： IP3 = 47 dBm的典型在6GHz
!
通孔源地
!
适用于高可靠性的应用
!
击穿电压： BV
DGO
≥
18 V
!
LG = 0.6
µm,
WG = 12毫米
!
高功率附加效率： 40％额定PAE在6GHz
!
VP紧控制范围
!
高RF输入功率处理能力
!
100％的直流测试
PHOTO扩建
描述
的TC1806是GaAs假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ） ，其具有高的线性度
和高功率附加效率。该装置具有一个通孔正当性的过程中，它提供了处理
低的热电阻和低电感。长的栅极长度，使该设备具有高的击穿
电压。所有器件100 ％的直流测试，以保证稳定的质量。
键合焊盘镀金的或者
热压或热声波引线接合。背面镀金与标准兼容的金锡
芯片粘结。典型的应用包括商用和军用高性能功率放大器。
电气规格（T
A
=25
°
C)
符号
P
1dB
G
L
IP3
PAE
I
DSS
g
m
V
P
R
th
条件
输出功率1分贝增益压缩点，
f
= 6 GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 1200毫安
线性功率增益，
f
= 6 GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 1200毫安
的3截点
rd
阶互调，
f
= 6 GHz的V
DS
= 8V ，我
DS
=1200mA,*P
SCL
= 23dBm的
功率附加效率为1dB压缩功率，
f
= 6 GHz的
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V，I
D
= 24毫安
18
民
36
9
典型值
36.5
10
47
40
3
2000
-1.7**
22
2
最大
单位
DBM
dB
DBM
%
A
mS
伏
伏
° C / W
BV
DGO
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
= 6毫安
热阻
注意：
* P
SCL
：单载波电平的输出功率。
*对于夹断电压的严格控制。 TC1806的被分为3组：
(1)
TC1806P1519
： VP = -1.5V至-1.9V （ 2 ）
TC1806P1620
： VP = -1.6V至-2.0V
（3） TC1806P1721 ： VP = -1.7V至-2.1V此外，客户可以指定他们的要求。
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th
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