TC1504N
REV2_20071108
1W高线性度和高效率砷化镓功率场效应管
特点
l
1W典型功率在12GHz
l
线性功率增益：摹
L
= 9 dB的典型，在12 GHz的
l
高线性度： IP3 = 40 dBm的典型，在12 GHz的
l
非导通孔源的单偏置应用
l
适用于高可靠性的应用
l
击穿电压： BV
DGO
≥
13.5 V
l
LG = 0.25
µm,
WG = 2.4毫米
PHOTO扩建
l
高功率附加效率： 43％额定PAE为12 GHz的
l
VP紧控制范围
l
高RF输入功率处理能力
l
100％的直流测试
描述
的TC1504N是GaAs假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ） ，其具有高的线性度
和高功率附加效率。该装置处理，而不会经由-holes单偏压应用。该
短栅极长度使得能够使用在电路器件高达20GHz的。所有器件100 ％的直流测试，以确保
稳定的质量。键合焊盘是镀金为任一热压或热声波引线接合。
背面镀金兼容标准的金锡死-attach 。典型的应用包括商业和
军用高性能功率放大器
.
电气规格（T
A
=25
°
C)
符号
P
1dB
G
L
IP3
PAE
I
DSS
g
m
V
P
R
th
条件
输出功率1分贝增益压缩点，
f
= 12 GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 240毫安
线性功率增益，
f
= 12 GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 240毫安
截取点的3阶互调的，
f
= 12 GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 240毫安， * P
SCL
= 17 dBm的
rd
民
29.5
典型值
30
9
40
43
720
520
-1.7
最大单位
DBM
dB
DBM
%
mA
mS
伏
伏
° C / W
功率附加效率为1dB压缩功率，
f
= 12 GHz的
饱和漏极 - 源电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V，I
D
= 4.8毫安
13.5
BV
DGO
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
-1.2毫安
热阻
15
12
注意：
* P
SCL
：单载波电平的输出功率。
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