TC1501N
REV4_20070502
1W高线性度和高效率砷化镓功率场效应管
特点
!
1W典型功率在6 GHz
!
线性功率增益：摹
L
= 12 dB（典型）在6GHz
!
高线性度： IP3 = 40 dBm的典型在6GHz
!
高功率附加效率： 43％额定PAE在6GHz
!
非导通孔源的自偏置应用
!
适用于高可靠性的应用
!
击穿电压： BV
DGO
≥
15 V
!
LG = 0.35
µm,
WG = 2.4毫米
!
VP紧控制范围
!
高RF输入功率处理能力
!
100％的直流测试
PHOTO扩建
描述
的TC1501N是GaAs假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ） ，其具有高的线性度
和高功率附加效率。该装置进行处理，而不通孔为自偏压的应用程序。短
栅极长度特性使得能够使用在电路器件高达20GHz的。所有设备都100％的直流测试
以保证稳定的质量。
键合焊盘镀金为任一热压或热 - 超音丝
粘接。背面镀金与标准的金锡芯片粘结相兼容。典型的应用包括：
商用和军用高性能功率放大器。
电气规格（T
A
=25
°
C)
符号
P
1dB
G
L
IP3
PAE
I
DSS
g
m
V
P
R
th
线性功率增益，
f
条件
输出功率1分贝增益压缩点，
f
= 6 GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 240毫安
= 6 GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 240毫安
= 6 GHz的
民
29.5
典型值
30
12
40
43
600
400
-1.7**
15
18
15
最大
单位
DBM
dB
DBM
%
mA
mS
伏
伏
° C / W
的3截点
rd
阶互调，
f
= 6 GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 240毫安， * P
SCL
= 17 dBm的
功率附加效率为1dB压缩功率，
f
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V，I
D
= 4.8毫安
热阻
BV
DGO
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
-1.2毫安
注意：
* P
SCL
：单载波电平的输出功率。
*对于夹断电压的严格控制。 TC1501N的被分为3组：
(1)
TC1501NP1519
： VP = -1.5V至-1.9V （ 2 ）
TC1501NP1620
： VP = -1.6V至-2.0V
（3） TC1501NP1721 ： VP = -1.7V至-2.1V此外，客户可以指定他们的要求。
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th
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