TC1101
REV6_20070502
SCHEMATI
Lg
Rg
CGS
Ri
T
CGD
Gm
CDS
RDS
Rd
Ld
参数
Lg
Rg
CGS
Ri
CGD
Rs
0.047 nH的
1.460欧姆
0.207 pF的
3.680欧姆
0.027 pF的
54.80毫秒
3.340皮秒
Rs
Ls
CDS
RDS
Rd
Ld
1.290欧姆
0.001 nH的
0.068 pF的
321.5欧姆
1.525欧姆
0.038 nH的
Gm
T
Ls
小信号模型，V
DS
= 6 V，I
DS
= 25毫安
SCHEMATI
Lg
Rg
CGS
Ri
T
CGD
Gm
CDS
RDS
Rd
Ld
参数
Lg
Rg
CGS
Ri
CGD
Rs
0.047 nH的
1.460欧姆
0.254 pF的
5.910欧姆
0.019 pF的
66.00毫秒
3.640皮秒
Rs
Ls
CDS
RDS
Rd
Ld
1.250欧姆
0.001 nH的
0.067 pF的
377.8欧姆
1.525欧姆
0.038 nH的
Gm
T
Ls
切片处理
芯片连接：
导电环氧或共晶芯片附着建议。共晶芯片附着能
在舞台下完成与金锡（ 80 ％的Au- 20 ％ Sn）的执行： 290℃
±
5 ℃;搬运工具：镊子;
时间：小于1分钟。
引线键合：
推荐的金属丝键合方法是热压粘合与0.7至1.0密耳
（ 0.018 〜0.025 MM）的金线。阶段的温度：220℃ 〜250℃ ;焊头温度： 150 ℃;粘结力：
20〜 30克取决于电线焊接头温度的大小。
操作注意事项：
用户必须操作在一个干净，干燥的环境中。应当慎重
操作过程中避免对设备造成损坏。静电放电（ ESD）预防措施应在所有观察
仓储，装卸，组装和测试阶段。静电放电必须小于300V 。
TRANSCOM ，INC。
90 Dasoong 7
th
道为基础的科学台南工业园，惺她享，台南县，台湾， ROC
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电话： 886-6-5050086
传真： 886-6-5051602
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