TC1101V
REV6_20070502
低噪声和中等功率GaAs场效应管
特点
通孔为源极接地
PHOTO扩建
低噪声系数： NF = 0.5 dB（典型） ，在12 GHz的
关联度高增益：嘎= 13 dB的典型，在12 GHz的
高动态范围： 1 dB压缩功率P
-1
= 18.5 dBm的12 GHz的
击穿电压： BV
DGO
≥
9 V
LG = 0.25
µm,
WG = 160
µm
全镀金的高可靠性
VP紧控制范围
高RF输入功率处理能力
100％的直流测试
描述
该TC1101V相同TC1101通孔在源焊盘用于降低接地电感期望。它
可以用在电路中高达30千兆赫和适用于低噪声和中功率放大器的应用，包括
广泛的商业和军事应用。所有器件100 ％的直流测试，以保证稳定的质量。
所有键合焊盘是镀金为任一热压或热声波引线接合。
电气规格（T
A
=25
°
C)
符号
NF
G
a
P
1dB
G
L
I
DSS
g
m
V
P
BV
DGO
R
th
条件
噪声系数在V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安，
f
= 12GHz的
在V相关的增益
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安，
f
= 12GHz的
输出功率1分贝增益压缩点，
f
= 12GHz的，V
DS
= 6 V，I
DS
= 25毫安
线性功率增益，
f
= 12GHz的，V
DS
= 6 V，I
DS
= 25毫安
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V，I
D
= 0.32毫安
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
= 0.08毫安
热阻
9
11
17.5
14
民
典型值
最大
单位
0.5
13
18.5
15
48
55
-1.0*
12
180
0.7
dB
dB
DBM
dB
mA
mS
伏
伏
° C / W
注意：
*对于夹断电压的严格控制。 TC1101V的被分为3组：
(1)
TC1101VP0710
： VP = -0.7V至-1.0V （ 2 ）
TC1101VP0811
： VP = -0.8V至-1.1V
（ 3 ） TC1101VP0912 ： VP = -0.9V至-1.2V
此外，客户可以指定他们的要求。
绝对最大额定值（T
A
=25
°
C）典型噪声参数（T
A
=25
°
C)
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
GS
P
in
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
栅电流
RF输入功率， CW
连续耗散
通道温度
储存温度
等级
7.0 V
-3.0 V
I
DSS
160
µA
18 dBm的
250毫瓦
175
°C
- 65
°C
到+175
°C
频率
（千兆赫）
2
4
6
8
10
12
14
16
18
NF
选择
（ dB）的
0.34
0.36
0.38
0.42
0.48
0.54
0.63
0.76
0.94
G
A
（ dB）的
21.2
19.3
17.5
15.9
14.4
13.2
12.7
12.5
12.2
Γ
选择
MAG
昂
0.97
14
0.83
0.68
0.51
0.38
0.28
0.25
0.31
0.49
30
50
75
106
145
-168
-111
-45
Rn/50
0.63
0.54
0.42
0.30
0.18
0.14
0.12
0.17
0.36
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th
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