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TS12011ITD1022T 参数 Datasheet PDF下载

TS12011ITD1022T图片预览
型号: TS12011ITD1022T
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内容描述: 一个0.8V / 1.5uA纳安级功耗运算放大器,比较器和参考 [A 0.8V/1.5uA Nanopower Op Amp, Comparator, and Reference]
分类和应用: 比较器运算放大器
文件页数/大小: 11 页 / 809 K
品牌: TOUCHSTONE [ TOUCHSTONE SEMICONDUCTOR INC ]
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TS12011/TS12012
下降) 。这是在该阈值电压
比较器输出由低
高为V
COMPIN +
上升到高于跳闸点。
在本实施例中,V
THR
被设置为2 。
5)
与V
THR
从上面的步骤4中,电阻R3
然后,计算如下:
R 3 = 1 / [Ⅴ
THR
/(V
REFOUT
X R 1 ) - ( 1 / R 1 ) - ( 1 / R 2) ]
图2中。
用三个电阻推出
在TS12011附加滞后
1)
R 3 = 1 / [ 2V / ( 0.58V X 160kΩ ) - ( 1 / 160kΩ ) -
(1 / 4.02MΩ ) ] = 66.43kΩ
在这个例子中,一个69.8kΩ ,1%标准
电阻值选择为R3 。
6)
设置R2。作为在中的漏电流
引脚小于20nA ,电流通过R2
至少应为150nA关来降低失调
引起的输入漏电压误差
电流。电流通过R2的行程
点是(Ⅴ
REFOUT
- V
COMPOUT
)/R2.
在求解R 2,有两个公式 -
各一对的两个可能的输出状态:
R2 = V
REFOUT
/I
R2
or
R2 = (V
DD
- V
REFOUT
)/I
R2
从两个公式的结果,该
两个所得的电阻值越小
选择。例如,当使用
TS12011 (V
REFOUT
= 0.58V ),以V
DD
= 2.5V
如果我
R2
= 150nA关被选择,则
上述公式产生两个电阻值:
3.87MΩ和12.8MΩ - 一个4.02MΩ标准
值R2的选择。
最后一个步骤是验证跳闸电压和
使用标准的滞环带
电阻值:
对于V
COMPIN +
瑞星:
V
THR
= V
REFOUT
X R 1 [( 1 / R1 )+( 1 / R 2 )+( 1 / R 3) ]
= 1.93V
对于V
COMPIN +
掉落:
V
THF
= V
THR
- ( R1 x垂直
DD
/ R2 ) = 1.83V
和滞环= V
THR
– V
THF
= 100mV的
2)
接着,所需的滞后带(Ⅴ
HYSB
)是
设置的。在本实施例中,V
HYSB
被设置为100毫伏。
电阻器R1 ,根据所计算出的
下面的等式:
R 1 = R ×( V
HYSB
/V
DD
)
而代),在1中选择的值,并
2 )上述收益率:
R1 = 4.02MΩ ×(为100mV / 2.5V ) = 160.8kΩ 。
对于R 1的160kΩ的标准值进行选择。
3)
4)
对于COMPIN +上升跳变点(V
THR
)是
选择,使得V
THR
& GT ; V
REFOUT
×( R1 +
R2) / R2 (Ⅴ
THF
是V跳变点
COMPIN +
TS12011_12DS r1p0
RTFDS
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