TLP281,TLP281-4
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ）
特征
正向电流
正向电流降额
LED
脉冲正向电流
反向电压
结温
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
探测器
集电极电流
集电极耗散功率
（ 1电路）
集电极耗散功率
降额（ Ta≥25 ° C） （ 1电路）
结温
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
总计封装功耗
（ 1电路）
总计封装功耗
降额（ Ta≥25 ° C） （ 1电路）
隔离电压
(Note1)
符号
I
F
∆I
F
/°C
I
FP
V
R
T
j
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
C
∆P
C
/°C
T
j
T
OPR
T
英镑
T
SOL
P
T
∆P
T
/°C
BV
S
200
−2.0
150
−1.5
125
−55~100
−55~125
260 (10s)
170
−1.7
−0.7
(Ta≥53°C)
1
5
125
80
7
50
100
−1.0
等级
TLP281
50
−0.5
(Ta≥25°C)
TLP281−4
单位
mA
毫安/°C的
A
V
°C
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
VRMS
2500(AC,1min,R.H.≤60%)
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
（注1 ）设备视为两个终端设备：LED侧引脚短接器和检测器侧引脚短接
在一起。
个人电气特性
（ TA = 25℃ ）
特征
正向电压
LED
反向电流
电容
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 集电极
探测器
击穿电压
符号
V
F
I
R
C
T
V
（ BR ） CEO
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 5 V
V = 0中，f = 1 MHz的
I
C
- 0.5毫安
分钟。
1.0
—
—
80
典型值。
1.15
—
30
—
马克斯。
1.3
10
—
—
单位
V
μA
pF
V
V
（ BR ） ECO
I
E
- 0.1毫安
V
CE
= 48 V,
环境光下面
(100
ℓx)
V
CE
= 48 V ， TA = 85°C
环境光下面
(100
ℓx)
V = 0中，f = 1 MHz的
7
—
0.01
(2)
2
(4)
10
—
0.1
(10)
50
(50)
—
V
集电极暗电流
(Note2)
电容
（集电极到发射极）
—
—
—
μA
μA
pF
I
首席执行官
C
CE
（注2）由于结构，漏电流可能增加环境光。
请使用光耦合器较少的环境光。
3
2007-10-01
TOSHIBA [ TOSHIBA SEMICONDUCTOR ]
