XP162A11C0PR
◆
◆
◆
◆
◆
◆
P沟道功率MOS FET
DMOS结构
低导通电阻： 0.28
Ω
（最大）
超高速开关
栅极保护二极管内置
SOT - 89封装
功率MOS FET
■
●
●
●
●
应用
笔记本电脑
携带电话
上 - 板电源
锂 - 离子电池系统
■
概述
该XP162A11COPR是P沟道功率MOS FET的低通态
电阻和超高速开关特性。
因为高速切换是可能的，该IC可以有效地
置，从而节省能源。
为了对付静电，栅极保护二极管被内置。
小型SOT- 89封装，使高密度安装成为可能。
■
特点
低导通电阻：
RDS（ON） = 0.15Ω （ VGS = -10V ）
RDS（ON） = 0.28Ω （ VGS = -4.5V ）
超高速开关
工作电压：
-4.5V
栅极保护二极管内置
高密度安装：
SOT - 89
■
引脚配置
■
引脚分配
引脚数
1
2
3
引脚名称
G
D
S
功能
门
漏
来源
u
1
G
2
D
3
S
SOT - 89顶视图
■
等效电路
■
绝对最大额定值
Ta=25
O
C
参数
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
反向漏电流
连续通道
功耗（注）
符号
VDSS
VGSS
Id
IDP
IDR
Pd
总胆固醇
TSTG
评级
-30
+ 20
-2.5
-10
-2.5
2
150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
O
1
2
P - 沟道MOS FET
（ 1装置内置）
3
通道温度
储存温度
C
C
O
（注） ：当在陶瓷PCB实现
510
TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
