XP162A11C0PR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	XP162A11C0PR
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内容描述：	功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 428 K
品牌：	TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]

XP162A11C0PR

功率MOSFET

ETR1125_001

■一般

描述

该XP162A11C0PR是一个P沟道功率MOSFET具有低通态电阻和超高速开关特性。

因为高速切换是可能的，该IC可以有效地设置，从而节省能源。

栅极保护二极管内置防止静电损坏。

小型SOT- 89封装，使高密度安装成为可能。

■应用

笔记本¡

个

（蜂窝

和手提电话

●板载

电源

●锂离子

电池系统

■特点

低通态电阻

： RDS（ON） = 0.15Ω @ VGS = -10V

： RDS（ON） = 0.28Ω @ VGS = -4.5V

超高速开关

驱动电压

: -4.5V

栅极保护二极管内置

P沟道功率MOSFET

DMOS结构

小型封装

： SOT- 89

针

CON组fi guration

针

转让

针

数

针

名字

功能

门

漏

来源

●等效

电路

“绝对

最大额定值

TA = 25°

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

反向漏电流

信道功率耗散*

通道温度

存储温度范围

符号等级

VDSS

VGSS

IDP

IDR

总胆固醇

TSTG

-30

±20

-2.5

-10

-2.5

150

-55~150

单位

℃

*当在陶瓷PCB实现

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