XP161A01A8PR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	XP161A01A8PR
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	N沟道功率MOS FET [N-Channel Power MOS FET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 154 K
品牌：	TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]

XP161A01A8PR

■典型性能特征

漏极电流与漏源电压

9.0

10V

脉冲测试， TA = 25 ：

漏电流与栅源电压

脉冲测试， VDS = 10V

漏电流： ID（ A）

4.5V

6.0

3.5V

3.0

Vgs＝2.5V

0.0

Topr=25℃

125℃

-55℃

漏源电压： Vds的（V ）

栅源电压：栅极电压（V ）

漏源导通电阻

与栅源电压

0.4

脉冲测试， TA = 25 ：

漏源导通电阻

与漏电流

脉冲测试， TA = 25 ：

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.3

Id＝1.5A

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

Vgs＝4.5V

0.1

10V

0.2

0.1

0.01

栅源电压：栅极电压（V ）

漏电流： ID（ A）

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

漏源导通电阻

- 环境温度

0.4

脉冲测试

门源截止电压方差

- 环境温度

VDS = 10V ，ID = 1毫安

0.3

门源截止电压方差

：栅极电压（关）方差（V ）

150

0.5

0.2

Vgs＝4.5V

0.1

Id＝3A

1.5A

-0.5

1.5A,3A

10V

-60

-30

120

-1

-60

-30

120

150

环境温度：范围Topr （ :)

852

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案