XP152A12C0MR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	XP152A12C0MR
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内容描述：	功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 428 K
品牌：	TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]

XP152A12C0MR

ⅵELECTRICAL

特征

DC特性

参数

排水截止电流

门源漏电流

栅极 - 源极截止电压

漏源导通电阻* 1

正向转移导纳* 1

续流保护二极管

正向电压

符号

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

RDS （ ON）

| YFS |

条件

VDS = -20V ， VGS = 0V

VGS =

±12V,

VDS = 0V

ID = -1mA ， VDS = -10V

ID = -0.4A ， VGS = -4.5V

ID = -0.4A ， VGS = -2.5V

ID = -0.4A ， VDS = -10V

如果= -0.7A ， VGS = 0V

分钟。

-0.5

典型值。

0.23

0.37

1.5

-0.8

马克斯。

-10

±10

-1.2

0.30

0.50

-1.1

a = 25℃

单位

μA

* 1脉冲测试期间有效。

动态特性

参数

输入电容

输出电容

反馈电容

符号

西塞

科斯

CRSS

VDS = -10V ， VGS = 0V

F = 1MHz的

条件

分钟。

典型值。

180

120

马克斯。

a = 25℃

单位

开关特性

参数

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

符号

TD （上）

TD （关闭）

VGS = -5V ，ID = -0.4A

VDD = -10V

条件

分钟。

典型值。

马克斯。

a = 25℃

单位

热特性

参数

热阻

（信道环境）

符号

RTH （ CH -A ）

条件

实现在陶瓷PCB

分钟。

典型值。

250

马克斯。

单位

℃/W

2/5

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