XP151A02B0MR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	XP151A02B0MR
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内容描述：	功率MOS FET [Power MOS FET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 59 K
品牌：	TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]

■

XP151A02B0MR特点

漏极/源极电压与电容

电容：西塞，科斯，的Crss （PF ）

1000

VGS = 0V ， F = 1MHz的

开关时间与漏电流

1000

VGS = 5V时，VDD ≒ 10V ， PW = 10微秒。占空比≦ 1％

西塞

100

科斯

开关

时间： T（ NS ）

100

（关闭）

（上）

CRSS

0.1

漏/源

电压Vds的（V ）

漏

电流： ID（ A）

栅极/源极电压与栅极电荷

栅极/源极电压：栅极电压（V ）

反向漏电流： Im额定（A）

VDS = 10V ，ID = 0.8A

反向漏电流与源极/漏极电压

2.5

脉冲测试

2.0

Vgs＝4.5V

1.5

2.5V

1.0

0,-4.5V

0.5

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

门

负责人：的Qg （ NC ）

源极/漏极电压： VSD （V ）

界面标准过渡热电阻与脉冲宽度

标准化过渡热电阻： γS （ T）

第r （ CH-A ） = 250℃ / W，（实现在玻璃环氧印刷电路板）

单脉冲

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

脉冲宽度： PW （秒）

449

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