XP133A0245SR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	XP133A0245SR
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内容描述：	N沟道功率MOS FET [N-Channel Power MOS FET]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 173 K
品牌：	TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]

XP133A0245SR

■典型性能特征

漏极电流与漏源电压

2.5V

脉冲测试，TA = 25℃

漏电流与栅源电压

脉冲测试， VDS = 10V

漏电流： ID（ A）

1.5V

Topr＝25℃

Vgs＝1V

125℃

-55℃

漏源电压： Vds的（V ）

栅源电压：栅极电压（V ）

漏源导通电阻

与栅源电压

0.15

脉冲测试，TA = 25℃

漏源导通电阻

与漏电流

脉冲测试，TA = 25℃

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.1

Id＝3A

0.05

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

Vgs＝1.5V

0.1

2.5V

4.5V

0.01

栅源电压：栅极电压（V ）

漏电流： ID（ A）

漏源导通电阻

- 环境温度

0.15

脉冲测试

0.6

门源截止电压方差

- 环境温度

VDS = 10V ，ID = 1毫安

门源截止电压方差

：栅极电压（关）方差（V ）

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

Id＝3A

0.1

Vgs＝1.5V

2.5V

0.05

0.4

0.2

0.0

-0.2

3A,5A

4.5V

-60

-30

120

150

-0.4

-0.6

-60

-30

120

150

周围温度：范围Topr （℃）

777

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