· N沟道
功率MOSFET
◆ DMOS
结构
ULOW
导通状态电阻： 0.035Ω （最大值）
※超
高速开关
◆SOP-8
包
²Two
场效应器件内置
■应用
笔记本¡
个
（蜂窝
和手提电话
●板载
电源
●锂离子
电池系统
■一般
描述
该XP133A1235SR是一个N沟道功率MOSFET具有低
通态电阻和超高速开关
的特点。两个FET器件内置在一个封装
因为高速切换是可能的，该IC还可以是
有效地设置，从而节省能源。
小型SOP -8封装，使高密度安装
可能。
■特点
低通态电阻
： RDS（ON） = 0.035Ω （ VGS = 4.5V ）
： RDS（ON） = 0.048Ω （ VGS = 2.5V ）
超高速开关
驱动电压
: 2.5V
高密度安装
： SOP- 8
针
CON组fi guration
针
转让
引脚数
1
2
3
4
5~6
7~8
引脚名称
S1
G1
S2
G2
D2
D1
功能
来源
门
来源
门
漏
漏
●等效
电路
“绝对
最大额定值
TA = 25°
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
反向漏电流
信道功率耗散*
通道温度
存储温度范围
符号额定值单位
VDSS
VGSS
Id
IDP
IDR
Pd
总胆固醇
TSTG
20
±12
6
20
6
2
150
-55~150
V
V
A
A
A
W
℃
℃
*在玻璃环氧树脂印刷电路板实现时，
XP133A1235SR ETR1112_001.doc
1475
TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
