XP132A0265SR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	XP132A0265SR
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内容描述：	P沟道功率MOS FET [P-Channel Power MOS FET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 183 K
品牌：	TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]

XP132A0265SR

■典型性能特征

漏极电流与漏源电压

-20

-3.5V

-4V

脉冲测试， TA = 25 ：

-20

漏电流与栅源电压

脉冲测试， VDS = -10V

漏电流： ID（ A）

-5V

-10

-2.5V

漏电流： ID（ A）

-15

-4.5V

-3V

-15

-10

-2V

-5

Vgs＝-1.5V

-1

-2

-3

-5

125℃

-1

-55℃

-2

Topr＝25℃

-3

-4

-5

漏源电压： Vds的（V ）

栅源电压：栅极电压（V ）

漏源导通电阻

与栅源电压

0.20

脉冲测试， TA = 25 ：

1.00

漏源导通电阻

与漏电流

脉冲测试， TA = 25 ：

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.15

-6A

0.10

Id＝-3A

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.10

Vgs＝-2.5V

-5V

0.05

0.00

-2

-4

-6

-8

-10

0.01

-5

-10

-15

-20

栅源电压：栅极电压（V ）

漏电流： ID（ A）

漏源导通电阻

- 环境温度

门源截止电压方差

：栅极电压（关）方差（V ）

0.20

脉冲测试

0.6

0.4

0.2

0.0

-0.2

门源截止电压方差

- 环境温度

VDS = -10V ，ID = -1mA

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.15

Id＝−6A

-2.5V

0.10

-3A

-3A,-6A

0.05

Vgs＝-5V

-0.4

-0.6

0.00

-60

-30

120

150

-60

-30

120

150

环境温度：范围Topr （ :)

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