XP132A0340SR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	XP132A0340SR
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内容描述：	P沟道功率MOS FET [P-Channel Power MOS FET]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 173 K
品牌：	TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]

XP132A0340SR

电容与漏源电压

10000

VGS = 0V ， F = 1MHz的

1000

开关时间与漏电流

VGS = -5V ， Vdd的≒ -10V ， PW = 10微秒。 duty≤1 ％

开关时间： T（ NS ）

电容：C （PF ）

西塞

1000

科斯

CRSS

100

TD （关闭）

TD （上）

100

-5

-10

-15

-20

-0.1

-1

-10

漏源电压： Vds的（V ）

漏电流： ID（ A）

栅源电压与栅极电荷

-5

VDS = -10V ，ID = -7A

-25

反向漏电流

与源极 - 漏极电压

脉冲测试

栅源电压：栅极电压（V ）

反向漏电流： ID（ A）

-4

-20

Vgs＝-4.5V

-15

-2.5V

-10

0 , 4.5A

-5

-3

-2

-1

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1

栅极电荷：的Qg （ NC ）

源极 - 漏极电压： VSD （V ）

界面标准过渡热电阻与脉冲宽度

标准化过渡热电阻： γS （ T）

第r （ CH-A ） = 50℃ / W，（实现在玻璃环氧印刷电路板）

单脉冲

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

脉冲宽度： PW （秒）

758

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