XP131A1520SR
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N沟道功率MOS FET
DMOS结构
低导通电阻: 0.02
Ω
(最大)
超高速开关
SOP - 8封装
功率MOSFET
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应用
笔记本电脑
携带电话
上 - 板电源
锂 - 离子电池系统
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概述
该XP131A1520SR是一个N沟道功率MOS FET的低通态
电阻和超高速开关特性。
因为高速切换是可能的,该IC可以有效地
置,从而节省能源。
小型SOP -8封装,使高密度安装成为可能。
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特点
低导通电阻:
RDS(ON) = 0.015Ω ( VGS = 10V )
RDS(ON) = 0.02Ω ( VGS = 4.5V )
超高速开关
工作电压:
4.5V
高密度安装:
SOP - 8
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引脚配置
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
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引脚分配
引脚数
1-3
4
5-8
引脚名称
S
G
D
功能
来源
门
漏
u
SOP - 8顶视图
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等效电路
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绝对最大额定值
Ta=25
O
C
参数
符号
VDSS
VGSS
Id
IDP
IDR
Pd
总胆固醇
TSTG
评级
30
+ 20
10
40
10
2.5
150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
O
1
2
3
4
8
7
6
5
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
反向漏电流
连续通道
功耗(注)
通道温度
储存温度
C
C
O
N - 沟道MOS FET
( 1装置内置)
(注释) :当在玻璃环氧印刷电路板实施
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