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    XP131A1715SR 参数 Datasheet PDF下载

    XP131A1715SR图片预览
    型号： XP131A1715SR
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    内容描述： N沟道功率MOS FET [N-Channel Power MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 220 K
    品牌： TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号XP131A1715SR的Datasheet PDF文件第1页浏览型号XP131A1715SR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号XP131A1715SR的Datasheet PDF文件第3页  
    XP131A1715SR
    电容与漏源电压
    10000
    VGS = 0V ， F = 1MHz时， TA = 25 ℃
    开关时间与漏电流
    1000
    VGS = 5V时，VDD ≒ 10V ， PW = 10μs的， duty≤1 ％ ，TA = 25 ℃
    电容：C （PF ）
    西塞
    开关时间： T（ NS ）
    1000
    科斯
    100
    tf
    TD （关闭）
    CRSS
    tr
    100
    0
    5
    10
    15
    20
    10
    0
    TD （上）
    5
    10
    15
    20
    漏源电压： Vds的（V ）
    漏电流： ID（ A）
    栅源电压与栅极电荷
    5
    VDS = 10V ，ID = 10A ，TA = 25 ℃
    反向漏电流
    与源极 - 漏极电压
    40
    脉冲测试， TA = 25 ℃
    反向漏电流： Im额定（A）
    35
    30
    25
    20
    1.5V
    2.5V
    4.5V
    栅源电压：栅极电压（V ）
    4
    3
    2
    15
    10
    5
    VGS = -4.5V ， 0V
    1
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    60
    0
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1
    栅极电荷：的Qg （ NC ）
    源极 - 漏极电压： VSD （V ）
    界面标准过渡热电阻与脉冲宽度
    标准化过渡​​热电阻： γS （ T）
    11
    10
    第r （ CH-A ）= 50 ℃ / W （已实现在玻璃环氧印刷电路板）
    1
    单脉冲
    0.1
    0.01
    0.001
    0.0001
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    脉冲宽度： PW （ S）
    714

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