XC9502系列
双声道。升压/降压DC / DC控制器IC
<Setting输出Voltage>的
输出电压可通过外接分流电阻器来设定。输出电压由下面的公式确定的，根据该
RFB11 （ RFB21 ）和RFB12 （ RFB22 ）的值。 RFB11 （ RFB21 ）和RFB12 （ RFB22 ）的总和，通常应该是1M的
Ω
或更小。
V
OUT
=0.9
×
（ RFB11 + RFB12 ） / RFB12
CFB1 （ CFB2 ） ，加速相位补偿用电容器的值时，应fzfb = 1 /（ 2
× π ×
CFB1
×
RFB11 ），其是
等于12kHz的。调整是需要从1kHz至50kHz的取决于应用，电感值（L） ，以及值
负载容量（CL） 。
[计算例]
当RFB11 = 200kΩ的和RFB12 = 75KΩ ，V
OUT1
=0.9
×
（ 200K + 75K ） / 75K = 3.3V 。
[典型实例]
VOUT RFB11 RFB12 CFB1
(V)
（PF ）
(kΩ)
(kΩ)
VOUT RFB11 RFB12 CFB1
(V)
（PF ）
(kΩ)
(kΩ)
VOUT RFB11 RFB12 CFB1
(V)
（PF ）
(kΩ)
(kΩ)
2.5
390
220
8.0
120
15
100
30
270
430
33
33
13
82
220
330
62
2.7
360
180
12.0
160
3.0
560
240
24
220
220
62
3.3
200
75
62
330
270
39
390
270
33
5.0
82
18
160
同样的方法可以用于信道2 （输出2）也可以采用。
[外部元件]
输出1 （升压型DC / DC控制器）
输出2 （降压型DC / DC控制器）
1.0
1.5
1.8
2.0
2.2
TR 1 ：
（ TOREX N沟道功率MOSFET ）
注：该交易宗VGS击穿电压。为8V如此
请小心使用电源电压。对于6V
电源电压， XP161A1265PR其中VGS
击穿电压是12V ，推荐。
XP161A1355PR的VST1是1.2V （最大值） ，并且对
XP161A1265PR是1.5V （最大）
* MOSFET
XP161A1355PR
TR 2 ：
* MOSFET
XP162A12A6P
（ TOREX P沟道功率MOSFET ）
注：该交易宗VGS击穿电压。为12V如此
请小心使用电源电压。
SD 1 ： MA2Q737
（肖特基，松下）
CMS02
（肖特基， TOSHIBA ）
L 1:
10µH
（胜美达， CDRH5D28 ， FOSC = 500kHz的）
15µH
（胜美达， CDRH5D28 ， FOSC = 300kHz的）
22µH
（胜美达， CDRH5D28 ， FOSC = 180kHz ）
CL1 ： 16V ， 47μF
（钽）
根据下面的方程增加容量
当升压电压比大，输出
电流是高的。
C = （ CL标准值） × （ IOUT1 （毫安） / 300毫安× VOUT1 / VIN
SD 2 ： MA2Q737
（肖特基，松下）
CMS02
（肖特基， TOSHIBA ）
L 2:
10µH
（胜美达， CDRH5D28 ， FOSC = 500kHz的）
22µH
（胜美达， CDRH5D28 ， FOSC = 300kHz的）
47µH
（胜美达， CDRH5D28 ， FOSC = 180kHz ）
CL2 ： 16V ， 47μF
（钽）
根据下面的方程增加容量
当升压电压比大，输出
电流是高的。
C = （ CL标准值） × （ IOUT2 （毫安） / 500毫安× VOUT2 / VIN
TR ：
* NPN MOSFET
2SD1628 （三洋）
RB 1 ： （ 。调整根据负载& Tr的的HFE ） 500Ω
根据下面的公式设定。
RB1
≤
（ VIN - 0.7 ）× hFE参数/ I
C
-R
EXTBH
CB1 ：
2200pF （陶瓷）
根据下面的公式设定。
CB1
≤
(2
π
X RB2 X FOSC ×0.7 ）
* PNP MOSFET
2SA1213
（ SANYO ）
RB 2 ： 500Ω
（调整根据负载& Tr的。的HFE ）。
根据下面的公式设定。
RB2
≤
（ VIN - 0.7 ）× hFE参数/ I
C
-R
EXTBH
CB1 ：
2200pF （陶瓷）
根据下面的公式设定。
CB2
≤
(2
π
X RB2 X FOSC ×0.7 ）
TR ：
8
TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
