XC9502系列
!
电气特性
共同特征
参数
电源电压（注1 ）
马克斯。输入电压
输出电压范围
（注3）
符号
VDD
VIN
双声道。升压/降压DC / DC控制器IC
XC9502B095
(FOSC=500kHz)
条件
分钟。
2.0
10.0
0.9
0.9
2.0
0.9
-
-
-
-
-
-
-
425
0.65
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
130
110
80
130
90
90
1.0
500
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
10.0
-
-
VIN
10.0
VIN
250
220
150
240
190
190
3.0
575
-
0.20
0.50
-0.50
0.50
-0.50
0.50
-0.50
Ta=25
O
C
单位
V
V
V
V
V
V
µA
µA
µA
µA
µA
µA
µA
千赫
V
V
µA
µA
µA
µA
µA
µA
TEST
电路
1
1
1
2
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
VDD
≥
2.0V ， IOUT1 ， 2 = 1毫安
VOUTSET VDD ≠ VOUT1
VIN
≥
0.9V ， IOUT1 ， 2 = 1毫安
VDD=VOUT1
电源电流1
IDD1
FB1 ，2 = 0V
电源电流1-1
IDD1-1
EN1 = 3.0V ， EN2 = 0V ， FB1 = 0V
电源电流1-2
IDD1-2
EN2 = 3.0V ， EN1 = 0V ， FB2 = 0V
电源电流1-3
IDD1-3
FB1 = 0V ， FB2 = 1.0V
电源电流1-4
IDD1-4
FB1 = 1.0V ， FB2 = 0V
电源电流2
IDD2
FB1 ， 2 = 1.0V
Istb
同IDD1 ， EN1 = EN2 = 0V
待机电流
开关频率
FOSC
同IDD1
EN1,2 "High"电压
Venh
FB1,2=0V
EN1,2 "Low"电压
Venl
FB1,2=0V
IENH
EN1,2=3.0V
EN1,2 "High"电流
IENL
EN1,2 = 0V ， FB1,2 = 3.0V
EN1,2 "Low"电流
PWM1,2 "High"电流
IPWMH FB1 ， 2 = 3.0V ， PWM = 3.0V
PWM1,2 "Low"电流
ipwml
FB1 ， 2 = 3.0V ， PWM = 0V
IFBH
FB1 ，2 = 3.0V
FB1,2 "High"电流
VFBL
FB1 ， 2 = 1.0V
FB1,2 "Low"电流
除非另有说明， VDD = 3.0V ， PWM1,2 = 3.0V ， EN1 ， 2 = 3.0V
1输出特性
参数
FB1电压
操作启动电压1
（注2 ）
振荡启动电压1
最大占空比1
最小占空比比1
PFM税比1
效率1 （注4 ）
符号
VFB1
升压控制器
条件
VOUT1
VOUT2
VOUT1
VOUT2
Ta=25
O
C
分钟。
0.882
-
-
-
75
-
22
典型值。
0.900
-
-
-
80
-
30
马克斯。
0.918
0.9
2.0
0.8
85
0
38
-
20.0
47
30
-
0.20
单位
V
V
V
V
%
%
%
%
mS
Ω
Ω
V
V
TEST
电路
VDD = 3.0V ， VIN = 1.5V ， IOUT1 = 10毫安
使用tr ： 2SD1628 ，
VST1-1 IOUT1 = 1.0毫安， RFB11 = 200kΩ的， RFB12 = 75KΩ
VDD
≠
VOUT1 ： IOUT1 = 1毫安
VST2-1 FB1 = 0V
MAXDTY1同IDD1
MINDTY1同IDD2
PFMDTY1空载， VPWM1 = 0V
EFFI1
IOUT=130mA
4
2
1
3
3
3
5
5
5
6
6
5
5
83
-
N沟道MOSFET ： XP161A1355P
VOUT1
×
0.95V ， EN1 = 0V → 0.65V
软启动时间1
TSS1
5.0
10.0
28
EXT1 "High"导通电阻REXTBH1 FB1 = 0 ，外部1 = VDD - 0.4V
-
22
EXT1 "Low"导通电阻
REXTBL1 EN1 = FB2 = 0V ， EXT1 = 0.4V
-
PWM1 "High"电压
VPWMH1空载
0.65
-
PWM1 "Low"电压
VPWML1空载
-
-
除非另有说明， VDD = EN1 = PWM1 = 3.0V ， EN2 = PWM2 = GND ， EXT2 = OPEN ， FB2 = OPEN ， VIN = 1.8V
输出特性2
参数
FB2电压
最低工作电压
最大工作比率2
最小占空比比率2
PFM税比率2
Efficiency2
符号
VFB2
VINMIN
MAXDTY2
MINDTY2
PFMDTY2
EFFI2
降压控制器
条件
VIN = 3.0V ， IOUT2 = 10毫安
同IDD1
同IDD2
无负载， VPWM2 = 0V
IOUT2=250mA
分钟。
0.882
-
100
-
22
典型值。
0.900
-
-
-
30
Ta=25
O
C
马克斯。
0.918
2.0
-
0
38
-
20.0
47
30
-
0.20
单位
V
V
%
%
%
%
mS
Ω
Ω
V
V
TEST
电路
7
1
3
3
8
8
8
6
6
8
8
-
91
P沟道MOSFET ： XP162A12A6P
VOUT2
×
0.95V ， EN2 = 0V → 0.65V
软启动时间2
TSS2
5.0
10.0
28
EXT2 "High"导通电阻REXTBH2 EN2 = 0 ， EXT2 = VDD - 0.4V
-
22
EXT2 "Low"导通电阻
REXTBL2 FB2 = 0V ， EXT2 = 0.4V
-
PWM2 "High"电压
VPWMH2空载
0.65
-
PWM2 "Low"电压
VPWML2空载
-
-
除非另有说明， VDD = EN2 = PWM2 = 3.0V ， PWM1 = EN1 = GND ，外部1 = OPEN ， FB1 = OPEN ， VIN = 5.0V
笔记
1 ）尽管IC的升压操作从V开始
DD
0.8V ，输出电压和开关频率被稳定在V
DD
≥
2.0V 。因此，为V
DD
的建议超过2.0V时， V
DD
从V提供
IN
或其他电源。
2 ）尽管IC的开关操作从V开始
IN
0.9V时， IC的电源引脚（V
DD
）和输出电压监测引脚
（FB1 ）应该被连接到V
OUT1
。从V操作
IN
= 0.9V时，第二信道的（输出2） EN2引脚应设置为芯片
禁用。一旦输出中电压V
OUT1
大于2.0V ， EN2引脚应设置为芯片启动。
3 ）请注意不要超过周边零件的击穿电压水平。
4） EFFI = {[ （输出电压）×（输出电流） ] / [ （输入电压）×（输入电流） ] }×100
6
TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
