XC9220/XC9221
系列
●操作
说明（续）
●
输出电压设定
输出电压可以通过增加分流电阻器来设置。输出电压由下面的公式确定的，根据
R的值
FB1
和R
FB2
。 R的总和
FB1
和R
FB2
一般应在1MΩ以下。
V
OUT
= 0.9× （r
FB1
+ R
FB2
) / R
FB2
C的值
FB
，加速电容器进行相位补偿，应该由下面的方程进行调整。 Fzfb
通常应为5kHz 。调整是需要从1kHz至20kHz的取决于应用，的值
电感（L） ，且负载容量（ CL）的值。
C
FB
= 1 / (2 x
π
个R
FB1
X fzfb ）
[样本
计算方法：设置3.3V V
OUT
]
R
FB1
= 200k
Ω
, R
FB2
=75k
Ω
, V
OUT
= 0.9× （ 200K + 75K ） / 75K = 3.300V
C
FB
= 1 / (2 x
π
X 200K X 5K ） = 150pF的
[典型实例]
V
OUT
(V)
1.2
1.5
1.8
R
FB1
(kΩ)
100
180
220
R
FB2
(kΩ)
300
270
220
C
FB
（PF ）
330
180
150
V
OUT
(V)
3.3
5.0
12.0
R
FB1
(kΩ)
200
150
160
R
FB2
(kΩ)
75
33
13
C
FB
（PF ）
150
220
180
●
推荐的MOSFET和SBD （实施例）
I
OUT
P沟道MOSFET的（* 1）
肖特基二极管
（ SBD）， （* 2）
*1:
*2:
高达500mA
CPH3308
（ SANYO ）
XB01SB04A2BR
（ TOREX ）
高达1A
高达2A
2SJ616
（ SANYO ）
高达3A
2SJ646
（ SANYO ）
DE5PC3
（新电元）
D1FH3 （新电元）
CMS02 （ TOSHIBA ）
建议使用P沟道MOSFET与西塞小于1500pF 。
SBD应使用高色调相反的特性。
●
陶瓷电容器
与XC9220 / 9221系列，陶瓷电容器可以作为一个输出电容器（CL） 。电阻RSENSE
需要使用的陶瓷电容器。 RSENSE电阻的值来确定视
设置输出电压，如下图。
输出电压
V
OUT
≦2.5V
V
OUT
>2.5V
RSENSE （ MΩ）
100
50
•外部
组件“
P沟道MOSFET ： 2SJ646 （ SANYO ）
SBD ： DE5PC3 （新电元）
L： CDRH8D28-4R7 （ 4.7μH ，墨田/ FOSC = 1.0MHz的）
CDRH8D43-100 （ 10μH ，墨田/ FOSC = 500kHz的）
CDRH127-220 （ 22μH ，墨田/ FOSC = 300kHz的）
CIN ： 22μF （陶瓷）
CL ： 22μF （陶瓷/ FOSC = 1.0MHz的， 500kHz的）
47μF （陶瓷/ FOSC = 300kHz的）
RSENSE ： 100mΩ的（V
OUT
≦2.5V)
50mΩ以下（V
OUT
＞2.5V)
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TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
