XC9103/XC9104/XC9105
系列
■
运算说明（续）
<输出电压Setting>
输出电压可通过外接分流电阻器来设定。输出电压由下面的公式确定，是根据
关于R的值
FB1
和R
FB2
。 R的总和
FB1
和R
FB2
通常应为2 MΩor以下。
V
OUT
= 0.9× （r
FB1
+ R
FB2
) / R
FB2
C的值
FB1
，加速电容器进行相位补偿，应导致fzfb = 1 /（ 2π ×C
FB
×R
FB1
）等于5到
30kHz的。的调整是必需的取决于负载容量（CL）的应用中，电感（L）值和值。
fzfb = 30kHz的（ L = 10μH ）
fzfb = 20kHz的（L = 22μH ）
fzfb = 10kHz时（ L = 47μH ）
[等式的示例]
R
FB1
: 120kΩ
R
FB2
: 45kΩ
C
FB
： 47pF的
（ fzfb = 30kHz的， L = 10μH ）
68pF
（ fzfb = 20kHz的， L = 22μH ）
在130pF （ fzfb = 10kHz时， L = 47μH ）
陶瓷电容器<中使用的CL >
的XC9103 / 04/ 05系列的电路由一个专门的电路，其中reenacts二者的负反馈组织
电压和电流。还通过插入约低和廉价感测电阻为100mΩ的作为电流检测，
稳定性的高度是可能的，即使使用陶瓷电容器，其以前是很难实现的状态。
相比钽电容器，因为该系列可以在一个非常小的容量下操作，它是适合于使用的
陶瓷电容器，它是便宜的和小的。
<外部元件>
Tr
*当MOSFET被用于：
XP161A1355PR （ N沟道功率MOSFET ， TOREX ）
注* ：由于XP161A1355的击穿电压为8V ，照顾
与电源电压。
随着输出电压超过6V ，使用XP161A1265用
12V的击穿电压。
VST1 ： XP161A1355PR = 1.2V （最大值）
XP161A1265PR = 1.5V （最大）
： MA2Q737 （肖特基型，松下）
：使用陶瓷类型在
： 22μH （ CDRH5D28 ，美达， FOSC = 100 ， 180kHz ）
10μH （ CDRH5D18 ，美达， FOSC = 300 ，频率500kHz ）
： 10V 10μF （陶瓷类， LMK325BJ106ML ，太阳诱电）
使用时，升压比与输出电流低于式
大。
CL = （CL标准值）×（我
OUT
（毫安） / 300毫安x垂直
OUT
/ V
IN
)
： 100mΩ的（ FOSC = 180 ， 300 ， 500kHz的）
50mΩ以下（ FOSC = 100kHz时）
：钽
： 22μH （ CDRH5D28 ，美达， FOSC = 300kHz的）
47μH （ CDRH5D28 ，美达， FOSC = 100 ， 180kHz ）
除了当IOUT （MA ） / 100毫安x垂直
OUT
/ V
IN
＆ GT ; 2
→
22μH
10μH （ CDRH5D18 ，美达， FOSC = 500kHz的）
： 16V ， 47μF （钽16MCE476MD2 ， NICHICHEMI ）
使用时，升压比与输出电流低于式
大。
CL = （CL标准值）×（我
OUT
（毫安） / 300毫安x垂直
OUT
/ V
IN
)
：不是必需的，但短路的电线。
：铝电解类型
： 22μH （ CDRH5D28美达， FOSC = 300kHz的）
47μH （ CDRH5D28美达， FOSC = 100 ， 180kHz ）
除非
I
OUT
（毫安） /百毫安x垂直
OUT
/ V
IN
＆ GT ; 2
→
22
μ
H
： 16V ， 100μF （ AL电解电容） + 10V ， 2.2μF （陶瓷类）
加强适当时升压比和输出电流
大。
：不是必需的，但短路的电线。
：设置使fzfb = 100kHz的。
*当一个NPN Tr的。是用于：
2SD1628 （三洋）
R
B
： 500Ω （支持TR的HSE或负载调节）
C
B
： 2200pF （陶瓷类型设定的是R
B
和
极是FOSC小于70 ％ ）
C
B
<1 /（2
π
个R
B
X FOSC ×0.7 ）
SD
L，C
L
L
C
L
R
SENSE
C
L
L
C
L
R
SENSE
C
L
L
C
L
R
SENSE
CFB
8/23
TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
