XC6376/6377
系列
■使用指南
GNotes
1.最大输出电流I
OUT
最大
一个降压型DC / DC转换器的最大输出电流可以从开关晶体管的导通电阻的值来计算
(R
SWON
） ，该线圈的直流电阻（DCR）与所述输入和输出引脚（ RETC ）之间的接线电阻。
I
OUT
最大= （V
IN
- V
OUT
)
÷
(R
SWON
+ DCR + RETC ）
线圈的DCR值将是0.18Ω （最大）与CR54 22μH （目录值）。
如果输出电流超过了我上面的计算值
OUT
MAX的最大工作条件会存在。
请使用具有足够的输出电流线圈和肖特基二极管（我
OUT
）保证金在规定的批准电流和检查线圈的
电流频率在实际操作中。
2.接线板
外设应位于尽可能接近的IC ，并应具有低阻抗传输线来连接。
请注意，高电流水平流过V
IN
- 集成电路 - 圈 - V
OUT
线。使接地图案尽可能地大，并连接电容器
C
L
接地引脚和V之间
OUT
针具有低阻抗。
5
3.积分电路保护
应的输出电压降作为过载的结果， IC将工作在最大占空状态。如果TPRO时间（ 5毫秒典型值）为
超标CE引脚将被重置为地面和软启动过程将继续。
如果过载状态持续再下面的步骤将被重复。
电路保护激活 - CE引脚复位 - 软启动程序的简历 - 保护电路启动-etc 。
如上所述，当电流拉伸超出最大输出电流（I
OUT
MAX），如上述计算，最大占空比会存在。当
最小的输入/输出电压差，甚至一个比较小的输出电流会触发保护电路，所以请小心。
对于那些谁需要的P-沟道功率MOSFET的客户在任何时间启用，并且保护电路中的低到不操作
V
IN
时间，是该系列的无保护版本也可（ XC6376C ， D， F型和XC6377C ， D， F型）
注意：
积分电路保护执行通知过载的以连续状态存在的外部组件的基本功能
为V的电平与临时滴连接
OUT
（ CE） 。因此，应该输出短路到地级和过载的状态继续下去，
不能提供充分的保护电路。在这种情况下，因为有这种可能性，即在IC和/或外围设备可能被损坏，它
建议输出可以经由CE引脚断开。
4.软启动，芯片使能电路（ CE引脚）
为了给软启动电容充电（C
SS
）在CE引脚，大约1μA的固定电流已在内部设置。因此，当使用
在CE功能（待机操作）请注意泄漏电流从晶体管的集电极开路的possibilites （或漏极开路）的
连接。我们建议至少100pF电容的电容连接。虽然IC仍将与C函数
SS
省略与CE
脚相连的V
IN
销，有大型冲的输入电压和/或浪涌电流时，电源会发生存在可能性
接通这可能引起不稳定。
也可能产生同样的问题，如果在CE引脚从CMOS输出驱动，因此，建议CE引脚被从驱动
集电极开路（或漏极开路） 。若CE引脚从一个CMOS输出驱动然而，电阻应装有之间的CE引脚
而输出和软启动电容（C
SS
）应连接。测量操作稳定性也是必要的。
注意：
即使在CE功能不被使用的，软启动电容器（C
SS)
大于100pF的应该仍然被连接。
5. P沟道升压电路
附加电容器（C
BST
）和一个二极管（ SD2 ），为显示在图中右侧，使门
内部P沟道功率MOSFET的电压被驱动到负电压值。
由于升
X
SW导通电阻（R
SWON
）变小，在高输出电流的效率可
改进。另一方面，在轻负载时的效率会因跌落到损失为C的结果
BST
's
充电和放电。
C
BST
： 2200pF （陶瓷电容）
SD2 ： MA729 （肖特基二极管，松下）
注意：
V的电压
IN
和P- BST不应超过10V （绝对值最大12V） 。
具有较高的V
IN
价值观，采取反措施夹紧或使用9V稳压二极管。
C
BST
1
2
3
4
SD2
8
7
6
5
ZD
（ ）
586
TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
