XC6365/6366
系列
兼测试
电路（续）
电路7 XC6365C ， XC6366C （与一个PNP晶体管使用时）
电路8 XC6365D ， XC6366D （与一个PNP晶体管使用时）
推荐的组件
TR ： XP162A12A6PR （特瑞仕P沟道功率MOSFET ）
请使用PNP晶体管，其中V
IN
＆ LT ; 2.5V
L
： 22μH （ CR54 ，美达， FOSC = 300kHz的）
47μH （ CR75 ，美达， FOSC = 180kHz ）
10μH （ CR54 ，美达， FOSC = 500kHz的）
SD ： MA2Q735 （肖特基二极管，松下）
C
L
： 10V ， 47μF （钽电容， NICHICHEMl MCE ）
C
IN
： 16V 10μF （钽电容， NICHICHEMI MCE ）
PNP Tr的。类型
TR ：生产的2SA1213 （ TOSHIBA ）
R
B
： 500Ω （根据负载和Tr的调整的hFE电平）。
C
B
： 2200pF （陶瓷类）
建立这样
C
B
≦
1 / (2
π
个R
B
X FOSC ×0.7 ）
C，D型（软启动外部设置）
C
SS
： 0.033μF （陶瓷电容器）
R
SS
： 470KΩ （C型） ， 330kΩ的（D型）
B，D型（ FB型）
R
FB
：设置使
R
FB1
/ R
FB2
= V
OUT
– 1
(V
OUT
=设定输出电压） ，
R
FB1
= R
FB2
≦
2M
Ω
C
FB
：设置使
fzfb = 1
÷
(2
π
乘C
FB
个R
FB1
)
距离
0.5到20kHz范围内（通常为10kHz ）
关于L，C的必要调整
L
.
例如： V
OUT
= 3.0V
R
FB1
= 400kΩ ，R
FB2
= 200kΩ的，C
FB
= 100pF的
713
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