XC61F
台系列
.Block图
（ 1 ） CMOS输出
“绝对
■絶対最大定格
参数
输入电压
输出电流
输出电压
CMOS
最大额定值
符号
V
IN
I
OUT
V
OUT
评级
12
50
V
SS
-0.3
∼
V
IN
+0.3
V
SS
-0.3
∼
9
150
Pd
Ta=25℃
单位
V
mA
V
V
IN
N沟道开漏
SOT-23
V
OUT
延迟电路
VREF
连续总
功耗
SOT-89
TO-92
500
300
-30
∼
+80
-40
∼
+125
mW
C
C
2
工作环境温度
TOPR
TSTG
O
V
SS
（ 2 ） N沟道开漏输出
V
IN
储存温度
O
V
OUT
延迟电路
VREF
V
SS
.Electrical特点
Ta＝25℃
参数
检测电压
迟滞范围
符号
V
DF
V
HYS
条件
民
V
DF
(T)
x 0.98
典型值
V
DF
(T)
V
DF
x 0.05
最大
V
DF
(T)
x 1.02
单位
V
V
电路
1
1
V
DF
x 0.02
V
DF
x 0.08
电源电流
I
SS
工作电压
V
IN
N沟道
输出电流
I
OUT
P沟道
V
IN
=1.5V
=2.0V
=3.0V
=4.0V
=5.0V
V
DF
= 1.6V至6.0V
V
DS
=0.5V
V
IN
=1.0V
=2.0V
=3.0V
=4.0V
=5.0V
V
DS
=2.1V
V
IN
=8.0V
（ CMOS输出）
0.9
1.0
1.3
1.6
2.0
0.7
2.2
7.7
10.1
11.5
13.0
-10.0
±
100
2.6
3.0
3.4
3.8
4.2
10.0
µA
2
V
1
3
mA
4
PPM /°C的
200
ms
-
5
检测电压
温度特性
短暂的延迟时间
(V
DR
V
OUT
反转）
∆
V
DF
∆
TOPR
•
V
DF
TDLY *
V
IN
从变化
0.6V至10V
50
V
DF
（T ） ：建立检测电压值
释放电压： V
DR
= V
DF
+ V
HYS
*瞬态延迟时间： 1毫秒到50毫秒& 80毫秒到400毫秒版本也可以。
注：在上电期间开始时的功率消耗，以输出是稳定的（释放操作）为2
µA
大于它是在该周期之后
由于延迟电路（完成释放操作的） ，通过电流。
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TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
