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    XC61CN1402NR 参数 Datasheet PDF下载

    XC61CN1402NR图片预览
    型号： XC61CN1402NR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低电压检测器 [Low Voltage Detectors]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 19 页 / 892 K
    品牌： TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号XC61CN1402NR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号XC61CN1402NR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号XC61CN1402NR的Datasheet PDF文件第7页浏览型号XC61CN1402NR的Datasheet PDF文件第8页浏览型号XC61CN1402NR的Datasheet PDF文件第10页浏览型号XC61CN1402NR的Datasheet PDF文件第11页浏览型号XC61CN1402NR的Datasheet PDF文件第12页浏览型号XC61CN1402NR的Datasheet PDF文件第13页  
    XC61C
    系列
    ⅵELECTRICAL
    特征
    V
    DF （ T）
    = 0.8V至6.0V ± 2 ％
    V
    DF （ T）
    = 2.6V至5.0V ± 1 ％
    参数
    检测电压
    符号
    V
    DF
    分钟。
    V
    DF （T ）
    x 0.98
    V
    DF （T ）
    V
    DF （T ）
    =2.6V~5.0V *2
    x 0.99
    V
    DF
    x 0.02
    V
    IN
    = 1.5V
    -
    V
    IN
    = 2.0V
    -
    V
    IN
    = 3.0V
    -
    V
    IN
    = 4.0V
    -
    V
    IN
    = 5.0V
    -
    V
    DF （T ）
    = 0.8V至1.5V
    0.7
    V
    DF （T ）
    = 1.6V至6.0V
    0.7
    V
    IN
    = 0.7V
    0.10
    N沟道V
    DS
    = 0.5V
    0.85
    V
    IN
    = 1.0V
    V
    IN
    = 6.0V
    -
    CMOS ， P沟道V
    DS
    = 2.1V
    V
    IN
    = 1.0V
    1.0
    V
    IN
    = 2.0V
    3.0
    N沟道V
    DS
    = 0.5V
    V
    IN
    = 3.0V
    5.0
    V
    IN
    = 4.0V
    6.0
    7.0
    V
    IN
    = 5.0V
    -
    CMOS ， P沟道V
    DS
    = 2.1V
    V
    IN
    = 8.0V
    V
    IN
    =6.0V, V
    OUT
    =6.0V*1
    CMOS
    -
    V
    IN
    =10.0V, V
    OUT
    =10.0V*2
    N沟道开漏
    -
    -40℃
    ≦
    TOPR
    ≦
    85℃
    从V反转
    DR
    到V
    OUT
    -
    -
    条件
    V
    DF （T ）
    =0.8V~1.5V *1
    V
    DF （T ）
    =1.6V~6.0V *2
    典型值。
    V
    DF （T ）
    V
    DF （T ）
    V
    DF
    x 0.05
    0.7
    0.8
    0.9
    1.0
    1.1
    -
    -
    0.80
    2.70
    -7.5
    2.2
    7.7
    10.1
    11.5
    13.0
    -10.0
    10
    10
    ±100
    0.03
    马克斯。
    V
    DF （T ）
    x 1.02
    V
    DF （T ）
    x 1.01
    V
    DF
    x 0.08
    2.3
    2.7
    3.0
    3.2
    3.6
    6.0
    10.0
    -
    -
    -1.5
    -
    -
    -
    -
    -
    -2.0
    -
    100
    -
    0.20
    Ta=25℃
    单位
    电路
    V
    V
    V
    1
    1
    1
    迟滞范围
    V
    HYS
    电源电流
    I
    SS
    μA
    2
    工作电压* 1
    工作电压* 2
    输出电流* 1
    V
    IN
    V
    1
    3
    4
    I
    OUT
    输出电流* 2
    mA
    3
    4
    nA
    PPM /
    ℃
    ms
    3
    -
    5
    漏电流
    I
    泄漏
    温度
    ΔV
    DF
    特征
    ΔTopr�½�V
    DF
    延迟时间
    TDLY
    (V
    DR
    →V
    OUT
    反转）
    注意：
    * 1 ：低电压： V
    DF （T ）
    =0.8V~1.5V
    * 2 ：标准电压： V
    DF （T ）
    =1.6V~6.0V
    V
    DF （ T）
    ：设定检测电压
    释放电压： V
    DR
    = V
    DF
    + V
    HYS
    9/19

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