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    IPB60R080P7

     600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。
    栅栅极
    0 INFINEON

    BM60059FV-C

     内置绝缘电压2500Vrms、输入输出延迟时间450ns、最小输入脉冲宽度400ns的绝缘元件的栅极驱动器。内置故障信号输出功能、低电压时误动作防止功能（UVLO）、短路保护功能（SCP）、米勒钳位功能、温度监测功能、开关控制、栅极恒流驱动功能、栅极状态监视功能。
    开关栅极驱动脉冲驱动器
    0 ROHM

    RGW60TK65D

     RGW60TK65D是以高速开关为特点的IGBT。适合PFC、太阳能变频器、UPS、焊接、IH等用途。
    开关双极性晶体管功率因数校正
    1 ROHM

    GRM155B11H182JA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    FCD260N65S3

     功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® III，Easy Drive，650 V，12 A，260 mΩ，DPAK
    暂无信息
    2 ONSEMI

    FF6MR12W2M1_B70

     AlN
    暂无信息
    1 INFINEON

    R6030KNX

     R6030KNX是低导通电阻的高速开关速度的功率MOSFET。
    开关
    0 ROHM

    RB088BM-40

     RB088BM-40是超低IR的开关电源用肖特基势垒二极管。
    开关二极管
    3 ROHM

    EMH2314-TL-H

     Power MOSFET, -12V, 37mΩ, -5A, Dual P-Channel
    暂无信息
    0 ONSEMI

    BSZ070N08LS5

     英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接由微控制器驱动。
    开关无线栅驱动控制器电信微控制器栅极
    0 INFINEON

    STMFSC3D1N08M7

     MOSFET - PowerTrench®, N-Channel, Dual Cool®, Shielded Gate, 80 V, 110 A, 3.1 mΩ
    栅
    0 ONSEMI

    GRM0332C2A240GA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    PMZB600UNEL

     20 V, N-channel Trench MOSFETProduction
    暂无信息
    0 NEXPERIA

    GCG2165G1H152JA01#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    NVHL055N60S5F

     Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET® V, FAST, 600 V, 45 A, 55 mΩ, TO-247
    暂无信息
    1 ONSEMI

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