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ULN2003ADR 参数 Datasheet PDF下载

ULN2003ADR图片预览
型号: ULN2003ADR
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内容描述: 达林顿晶体管阵列 [DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYS]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 9 页 / 166 K
品牌: TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
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ULN2001A , ULN2002A , ULN2003A , ULN2004A
达林顿晶体管阵列
SLRS027 - 1976年12月 - 修订1993年4月
高压大电流达林顿晶体管阵列
D
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D
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500 - mA额定集电极电流
(单输出)
高压输出。 。 。 50 V
输出钳位二极管
输入的兼容的各种型号
逻辑
继电器驱动器的应用
设计为可与
斯普拉格ULN2001A系列
ð或N包装
( TOP VIEW )
描述
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6B
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E
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COM
该ULN2001A , ULN2002A , ULN2003A和ULN2004A是单片高电压,大电流达林顿
晶体管阵列。每一个由七个NPN达林顿对,配有高电压输出
共阴极钳位二极管,用于切换感性负载。单个达林顿的集电极电流额定值
对为500毫安。达林顿对可以并联以更高的电流能力。应用范围包括继电器
驱动程序,驱动程序锤子,灯驱动器,显示驱动器(LED和气体放电) ,线路驱动器和逻辑缓冲器。
对于100 -V (否则互换)版本,请参阅通过SN75469 SN75465的。
该ULN2001A是一个通用的阵列,并且可以与TTL和CMOS技术的使用。该ULN2002A
是专门设计用于14〜 25 -V的PMOS器件。这个装置的每一个输入有一个齐纳二极管和
电阻串联,以控制输入电流的安全极限。该ULN2003A有一个2.7 kΩ串联电阻基地
每个达林顿对操作直接与TTL或5 V CMOS器件。该ULN2004A有一个10.5 kΩ的
一系列的基极电阻直接允许其操作从使用的6电源电压为15 V的CMOS器件
该ULN2004A的所需输入电流低于该ULN2003A的,并且所需要的电压小于
该所要求的ULN2002A 。
逻辑符号
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6B
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逻辑图
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1C
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2C
3B
3
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3C
4B
4
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†这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984
和IEC出版617-12 。
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PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
©
1993年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
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