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ULN2003AIDE4 参数 Datasheet PDF下载

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型号: ULN2003AIDE4
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内容描述: 高电压,大电流达林顿晶体管阵列 [HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 14 页 / 299 K
品牌: TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
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www.ti.com
ULN2003AI
高电压,大电流
达林顿晶体管阵列
SLRS054B - 2003年7月 - 修订2005年2月
绝对最大额定值
(1)
在25℃下自由空气的温度(除非另有说明)
V
CC
V
I
I
OK
T
A
θ
JA
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
集电极 - 发射极电压
钳位二极管的反向电压
(2)
输入电压
(2)
峰值集电极
当前
(3) (4)
输出钳位电流
共发射端电流
工作自由空气的温度范围内
ð包
封装的热阻抗
(3) (4)
工作结温
存储温度范围
–65
N包装
PW包
–40
最大
50
50
30
500
500
–2.5
105
73
67
108
150
150
°C
°C
° C / W
单位
V
V
V
mA
mA
A
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只,而根据"recommended操作指示的装置,在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于该发射极/基极端子E ,除非另有说明。
最大功耗为T的函数
J
(最大) ,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J
(最大值) - T的
A
)/θ
JA
。工作在绝对最大的T
J
150℃会影响可靠性。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
电气特性
T
A
= 25°C
参数
V
我(上)
通态输入电压
测试图
5
测试条件
I
C
= 200毫安
V
CE
= 2 V
I
I
= 250
µA,
V
CE ( SAT )
I
CEX
V
F
I
我(关闭)
I
I
I
R
C
i
集电极 - 发射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
钳位正向电压
断态电流输入
输入电流
钳反向电流
输入电容
4
1
7
2
3
6
I
I
= 350
µA,
I
I
= 500
µA,
V
CE
= 50 V,
I
F
= 350毫安
V
CE
= 50 V,
V
I
= 3.85 V
V
R
= 50 V
V
I
= 0,
F = 1 MHz的
15
I
C
= 500
µA
50
I
C
= 250毫安
I
C
= 300毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 200毫安
I
C
= 350毫安
I
I
= 0
1.7
65
0.93
1.35
50
25
0.9
1
1.2
典型值
最大
2.4
2.7
3
1.1
1.3
1.6
50
2
µA
V
µA
mA
µA
pF
V
V
单位
3