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UCC27424DRG4 参数 Datasheet PDF下载

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型号: UCC27424DRG4
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内容描述: 双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 [Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable]
分类和应用: 驱动器
文件页数/大小: 30 页 / 1460 K
品牌: TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
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SLUS545D - 2002年11月 - 修订2013年5月
图6 。
在动力驱动器在高频率下操作,它是一个显著挑战来获得干净的波形没有太多的
过冲/下冲和振铃。这些驱动器的低输出阻抗产生具有高的波形
的di / dt 。这容易引起振铃的寄生电感。悉心照顾必须在电路设计中使用。这是
有利的是连接驱动器IC尽可能近的引线。在驱动器IC布局具有接地的
输出的相反侧,所以在地面应连接到所述旁路电容,并与负载
铜走线尽可能宽。这些连接也应该用一个小的封闭环路面积,以制成
最小电感。
VDD
虽然静态VDD的电流非常低,总电源电流将更高,这取决于OUTA和OUTB
电流和编程的振荡器频率。总VDD电流的静态电流VDD和总和
平均输出电流。知道工作频率和MOSFET的栅极电荷(Qg ) ,平均输出
电流可以从下式计算:
I
OUT
=的Qg × f,其中f是频率
为了获得最佳的高速电路的性能,两个V
DD
旁路电容被推荐TP防止噪音
问题。采用表面贴装元件,强烈推荐。一个0.1μF的陶瓷电容应
位置最接近的VDD与地连接。此外,较大的电容器(如1μF )具有相对低的
血沉应当并联连接,以帮助实现高的电流峰值负载。的并联组合
电容器应呈现低阻抗特性的预期电流电平在驱动
应用程序。
驱动电流和电源要求
该UCC27423 / 4/5系列驱动器能够提供的电流4A到MOSFET栅极一段的
几百毫微秒。高的峰值电流要求迅速开启设备。然后,打开
器件关断时,驱动器是必需的下沉的电流相似的量到地。这重复的工作
频功率器件。甲MOSFET被用于在此讨论,因为它是最常见的类型
开关高频功率变换设备中使用的设备。
参考文献1和2讨论来驱动功率MOSFET和其他电容输入切换所需要的电流
设备。参考2包括上一代的双极集成电路的栅极驱动器的信息。
当一个驱动器IC具有离散,容性负载测试了它是一个相当简单的事情,计算是这样的功率
从偏置供给必需的。即,必须从偏置电源被转移的能量对电容器进行充电
由下式给出:
E
+
1 CV 2
,其中C是负载电容,V为偏置电压供给驱动器。
2
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