SLES209E
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2007年11月
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经修订的2011年10月
7修订历史记录
表7-1 。修订历史
调整
SLES209
SLES209A
初始版本
加入AEC- Q100认证
2.3节相关产品补充。
第2.4节，商标修改。
第3.16节，图3.5 ，改变晶体并联电阻建议。
第3.21.9 ，亮度亮度说明修改。
第10年3月21日，色度饱和度的说明进行修改。
第12年3月21日，亮度对比说明修改。
SLES209B
第45年3月21日，状态寄存器＃ 3的说明进行修改。
第49年3月21日， CGMS -A添加到注册的说明。
第50年3月21日，骏升2倍增加注册说明。
第58年3月21日，表3-16 ，推荐VBI配置内存设置的修改。
第59年3月21日， VDP状态寄存器修改。
第6.1节，对于电阻与晶体并联更改建议。
整个小的编辑性修改
第3.3节，图3-2 ，对于NTSC色度陷波滤波器的特性加入。
第3.3节，图3-3 ，对于PAL色度陷波滤波器的特性加入。
SLES209C
第3.4节，图3-4 ，色低通滤波器的特性加入。
第3.8节，表3-1 ，用于寄存器1100B修改后的名称。
部分3.20 ，表3-11 ，地址为21H ， 24小时新增I2C间接寄存器。
第4.9节，增加了功耗额定值。
第3.6节，当消色抑制色度处理修改。
第29年3月21日，新增间接寄存器数据
第30年3月21日，新增间接寄存器地址
SLES209D
第31年3月21日，新增间接寄存器读/写选通
第38年3月21日，新增补丁写地址
第39年3月21日，新增补丁代码执行
第53年3月21日，新增补丁读地址
对于终端27修改说明
添加寄存器33H ，修改寄存器82H和83H 。
我5：位修改说明7
2
C寄存器03H
SLES209E
为1x输出时钟频率（位寄存器的0Fh 0 ）移除支持
修改寄存器描述寄存器82H 。
修改寄存器描述寄存器83H 。
补充说明有关ESD保护。添加下拉和上拉电阻引脚27输出。
评论
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