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TPS793285DBVR 参数 Datasheet PDF下载

TPS793285DBVR图片预览
型号: TPS793285DBVR
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内容描述: 超低噪声,高PSRR ,快速射频200mA的低压差线性稳压器NANOSTAR ?晶圆级和SOT23 [ULTRALOW-NOISE, HIGH PSRR, FAST RF 200-mA LOW-DROPOUT LINEAR REGULATORS IN NANOSTAR? WAFER CHIP SCALE AND SOT23]
分类和应用: 线性稳压器IC调节器电源电路射频光电二极管输出元件信息通信管理PC
文件页数/大小: 18 页 / 446 K
品牌: TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
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www.ti.com
TPS79301 , TPS79318
TPS79325 , TPS79328 , TPS793285
TPS79330 , TPS79333 , TPS793475
SLVS348H - 2001年7月 - 修订2004年10月
应用信息
该TPS793xx系列低压降( LDO)稳压器已在噪声敏感了优化使用
电池供电设备。该器件具有非常低的压差电压,高PSRR ,超低输出
噪声,低静态电流( μA 170典型值) ,使输入,以减少供电电流小于1 μA
当调节器处于关闭状态。
一个典型的应用电路示于图22 。
V
IN
V
IN
IN
TPS793xx
0.1µF
EN
GND
OUT
V
OUT
NR
V
OUT
2.2µF
0.01
µ
F
图22.典型应用电路
外部电容器的要求
一个0.1 μF或更大的陶瓷输入旁路电容器,连接IN和GND之间和靠近
TPS793xx ,需要稳定和改善瞬态响应,噪声抑制和纹波抑制。一
更高价值的输入电容可能是必要的,如果大的,快速的上升时间的负载瞬变预期或装置
位于几英寸从电源。
最喜欢的低压降稳压器,该TPS793xx需要一个输出电容连接OUT和GND之间
以稳定的内部控制回路。推荐的最小容量为2.2 μF 。任何2.2 μF或更大
陶瓷电容器是合适的,所提供的电容不随温度显著变化。如果负载
目前预计不会超过100 mA , 1.0 - μF陶瓷电容都可以使用。
内部参考电压噪声的LDO稳压器的主要来源。该TPS793xx有NR销
通过一个250 kΩ的内部电阻器,连接到所述电压基准。 250 kΩ的内部电阻,在
与外部旁路电容器连接到所述N R个管脚相结合,产生一个低通滤波器,以减少
电压基准噪声,因此,该噪声在调节器的输出。为了使调节器来操作
正常,电流流出了NR销必须在最低限度,因为任何泄漏电流产生的IR
整个内部电阻从而创造一个输出误差下降。因此,旁路电容器必须具有
最小的漏电流。旁路电容应不大于0.1 μF以上,以确保其完全充电
在由功能框图所示的内部开关提供的快速入门时间
作为一个例子, TPS79328显示仅32 μV
RMS
用一个0.1μF的陶瓷旁路输出电压噪声
电容和一个2.2 μF陶瓷输出电容。请注意,输出启动慢作为旁路电容
在由该内部250 kΩ的电阻器和外部产生了NR销由于RC时间常数增大
电容。
板布局建议​​,以提高电源抑制比和噪声性能
为了提高交流测量像PSRR,输出噪声和瞬态响应,建议董事会
被设计成独立的地平面为V
IN
和V
OUT
与各接地平面连接仅处于GND
销装置的。此外,对于旁路电容器接地连接应直接连接到GND
销装置的。
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