TPS54610
SLVS398D - 2001年6月 - 修订2003年7月
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电气特性（续）
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
参数
误差放大器器
误差放大器的开环电压增益
误差放大器的单位增益带宽
误差放大器的共模输入电压
范围
输入偏置电流， VSENSE
输出电压转换速率（对称） ， COMP
PWM比较器
PWM比较器的传播延迟时间，
PWM比较器输入PH引脚（不包括
死区时间）
慢启动/ ENABLE
启用阈值电压， SS / ENA
启用滞后电压， SS / ENA
下降沿抗尖峰脉冲， SS / ENA （ 1 ）
内部慢启动时间
充电电流， SS / ENA
放电电流， SS / ENA
电源良好
电源良好阈值电压
电源良好滞后电压（ 1 ）
电源良好下降沿抗尖峰脉冲（ 1 ）
输出饱和电压， PWRGD
漏电流， PWRGD
电流限制
电流限制跳变点
电流限制前沿消隐时间（ 1 ）
电流限制总响应时间（ 1 ）
热关断
热关断触发点（ 1 ）
热关断迟滞（ 1 ）
输出功率MOSFET
RDS （ ON）
功率MOSFET开关
VI = 6 V （ 4 ）
VI = 3 V （ 4 ）
26
36
47
65
mΩ
135
150
10
165
°C
°C
VI = 3 V输出短路（ 1 ）
VI = 6 V输出短路（ 1 ）
7.2
10
10
12
100
200
A
ns
ns
我（汇） = 2.5毫安
VI = 5.5 V
VSENSE下降
90
3
35
0.18
0.3
1
VREF ％
VREF ％
µs
V
µA
SS / ENA = 0 V
SS / ENA = 0.2 V ， VI = 2.7 V
2.6
3
2.0
0.82
1.20
0.03
2.5
3.35
5
2.3
4.1
8
4.0
1.40
V
V
µs
ms
µA
mA
10 mV过（ 1 ）
70
85
ns
1 kΩ的COMP和AGND （ 1 ）
平行的10kΩ ， 160 pF的COMP到AGND （ 1 ）
本站由内部LDO （ 1 ）
VSENSE = VREF
1.0
90
3
0
60
1.4
110
5
VBIAS
250
dB
兆赫
V
nA
V / μs的
测试条件
民
典型值
最大
单位
（ 1 ）指定设计
只有（ 2 ）静态电阻负载
（3）指定由图10中所用的电路
（ 4 ）符合条件的MOSFET的低侧RDS（ON）生产测试，高侧RDS（ON）指定的设计
4
TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
