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TPS54610
SLVS398D - 2001年6月 - 修订2003年7月
PWP封装
（ TOP VIEW ）
AGND
VSENSE
COMP
PWRGD
BOOT
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
热22
PAD
21
20
19
18
17
16
15
RT
SYNC
SS / ENA
VBIAS
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
终端功能
终奌站
名字
AGND
BOOT
COMP
保护地
号
1
5
3
15−19
描述
模拟地。回报补偿网络/输出分频器，软启动电容， VBIAS电容，电阻RT和
SYNC引脚。连接将PowerPAD到AGND 。
引导输出。 0.022 - μF至0.1 μF低ESR电容从BOOT连接至PH产生的浮动驱动器
高侧FET驱动器。
误差放大器的输出。从COMP连接频率补偿网络VSENSE
电源地。高电流返回为低侧驱动器和功率MOSFET。连接地线与大型铜矿区
到输入和输出电源恢复，和的输入和输出电容器的负端。单点连接
到AGND建议。
相输出。路口内的高侧和低侧功率MOSFET和输出电感。
电源良好漏极开路输出。高当VSENSE
≥
90％ Vref时，否则PWRGD低。注意，输出为低时
SS / ENA为低或内部关断信号激活。
频率设定电阻输入。连接一个电阻RT和AGND设置开关频率。当使用
SYNC引脚，用于频率达到或优于外部振荡器频率稍低设置RT值。
慢启动/使能输入/输出。双功能引脚，提供逻辑输入以启用/禁用设备的操作和
电容输入到外部设置的启动时间。
同步输入。双功能引脚，提供逻辑输入同步至一个外部振荡器或引脚选择
之间的两个内部设置的开关频率。当用于同步到外部信号，电阻器必须
连接至RT引脚。
内部偏置稳压器输出。电源电压调节到内部电路。绕道VBIAS引脚到AGND引脚具有高
高质量，低ESR的0.1 μF至1.0 μF陶瓷电容。
输入电源为功率MOSFET开关和内部偏置稳压器。旁路VIN引脚PGND引脚接近设备
封装，高品质，低ESR的10 μF陶瓷电容。
误差放大器的反相输入端。通过补偿网络/输出分频器连接到输出电压。
PH
PWRGD
RT
SS / ENA
SYNC
6−14
4
28
26
27
VBIAS
VIN
VSENSE
25
20−24
2
5
TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
