TPS54310
SLVS412A - 2001年12月 - 修订2002年6月
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电气特性（续）
TJ = -40 ° C至125°C ， VIN = 3 V至6 V （除非另有说明）
参数
误差放大器器
误差放大器的开环电压增益
误差放大器的单位增益带宽
误差放大器的共模输入电压
范围
IIB
VO
输入偏置电流， VSENSE
输出电压转换速率（对称） ， COMP
1 kΩ的COMP和AGND （ 1 ）
平行的10kΩ ， 160 pF的COMP到AGND （ 1 ）
本站由内部LDO （ 1 ）
VSENSE = VREF
1
90
3
0
60
1.4
110
5
VBIAS
250
dB
兆赫
V
nA
V / μs的
测试条件
民
典型值
最大
单位
PWM比较器
PWM比较器的传播延迟时间，
PWM比较器输入PH引脚（不包括
死区时间）
慢启动/ ENABLE
启用阈值电压， SS / ENA
启用滞后电压， SS / ENA （ 1 ）
下降沿抗尖峰脉冲， SS / ENA （ 1 ）
内部慢启动时间
充电电流， SS / ENA
放电电流， SS / ENA
电源良好
电源良好阈值电压
电源良好滞后电压（ 1 ）
电源良好下降沿抗尖峰脉冲（ 1 ）
输出饱和电压， PWRGD
漏电流， PWRGD
电流限制
电流限制跳变点
电流限制前沿消隐时间
电流限制总响应时间
热关断
热关断触发点（ 1 ）
热关断迟滞（ 1 ）
输出功率MOSFET
RDS （ ）
DS （ ON）
功率MOSFET开关
IO = 3 A，
IO = 3 A，
VI = 6 V （ 2 ）
VI = 3 V （ 2 ）
59
85
88
136
mΩ
135
150
10
165
°C
°C
VI = 3 V ，输出短路（ 1 ）
VI = 6 V ，输出短路（ 1 ）
4
4.5
6.5
7.5
100
200
A
ns
ns
我（汇） = 2.5毫安
VI = 5.5 V
VSENSE下降
90
3
35
0.18
0.30
1
VREF ％
VREF ％
µs
V
µA
SS / ENA = 0 V
SS / ENA = 1.3 V，
VI = 1.5 V
2.6
3
1.5
0.95
1.20
0.03
2.5
3.35
5
2.3
4.1
8
4
1.40
V
V
µs
ms
µA
mA
10 mV过（ 1 ）
70
85
ns
（ 1 ）指定设计
（ 2 ）符合条件的MOSFET ，低侧RDS（ON）生产测试，高侧RDS（ON）按设计规定
4
TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
