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SLVS632 - 2006年1月
应用信息（续）
欠压锁定（ UVLO ）
该TPS5430集成了欠压锁定电路，以保持关闭设备时， VIN （输入
电压）低于UVLO启动电压阈值。上电时，内部电路保持非活动状态，直到VIN
超过UVLO启动阈值电压。一旦开始UVLO阈值电压达到，器件启动
开始。该器件的工作，直到VIN低于UVLO停止阈值电压。在典型的滞后
UVLO比较器330毫伏。
升压电容（ BOOT ）
连接一个0.01
µF
之间的BOOT引脚和PH引脚的低ESR陶瓷电容。该电容可提供
栅极驱动电压的高侧MOSFET 。 X7R或X5R级电介质，由于其稳定的建议
值随温度。
输出反馈（ VSENSE ）和内部补偿
稳压器的输出电压由反馈的外部电阻分压器的中点电压设定
互联到VSENSE引脚。在稳态操作中， VSENSE引脚电压应该等于电压
引用1.221 V.
该TPS5430实现内部补偿，简化了稳压器设计。由于使用TPS5430
电压模式控制，一个类型3补偿网络被设计在芯片上，以提供高的交叉
频率和高的相位裕度，稳定性好。请参阅
内部补偿网络
在应用程序
更多的细节部分。
电压前馈
内部电压前馈提供一个恒定的直流功率级的增益，尽管与输入的任何变化
电压。这极大地简化了稳定性分析，提高了瞬态响应。电压前馈
而变化的峰值斜坡电压反比于输入电压，使得调制器和功率级的增益是
在该前馈增益常数，即
VIN
前馈增益
)
坡道
PK PK
(1)
TPS5430的典型的前馈增益为25 。
脉宽调制（PWM）控制
该调节器采用固定频率脉宽调制器（PWM）控制方法。首先，反馈
电压（ VSENSE引脚电压）进行比较，由高增益误差放大器的恒定参考电压和
补偿网络，以产生误差电压。然后，误差电压进行比较的斜坡电压经
PWM比较器。在这种方式中，误差电压幅度转换为脉冲宽度为占空比。
最后，在PWM输出被馈送到所述栅极驱动电路来控制高侧MOSFET的导通时间。
过电流保护
过电流保护是通过检测横跨高侧MOSFET的漏极 - 源极电压实施。
漏极到源极电压进行比较，以表示该过电流阈限的电压电平。如果
漏极 - 源极电压超过过电流阈值极限时，过流指示器设置为true 。该系统
将忽略该前沿消隐时间的过电流指示在每个周期的开始，以避免任何
开启噪声毛刺。
一旦过流指示器设置为true ，过流保护被触发。高边MOSFET关断的
的周期的传播延迟后的其余部分。过电流保护方案被称为逐周期电流
限制。
如果所感测的电流继续在周期接一个周期的电流增大限制，打嗝模式过流保护
保护将被触发，而不是逐周期的电流限制。在打嗝模式过电流保护，
参考电压接地，高端MOSFET被关断的打嗝时间。一旦打嗝
持续时间结束后，在慢启动电路的控制调节器重新启动。
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