SLVS751C - 2007年11月 - 修订2009年7月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
T
J
-40_C到125_C
(1)
(2)
输入
电压
5.5 V至36 V
产量
电压
可调至1.22 V
包
(2)
耐热增强型SOIC （ DDA ）
产品型号
TPS5430QDDARQ1
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
包装图纸，热数据和符号可在
绝对最大额定值
(1)
(2)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
VIN
BOOT
PH值（稳态）
V
I
输入电压范围
ENA
BOOT -PH
VSENSE
PH值（瞬时< 10纳秒）
I
O
I
LKG
T
J
T
英镑
ESD
源出电流
漏电流
经营虚拟结温范围
存储温度范围
人体模型（ HBM ）
静电放电额定值
机器模型（ MM ）
带电器件模型（ CDM）
(1)
(2)
(3)
PH
PH
0.3 V至40 V
(3)
0.3 V至50 V
-0.6 V至40 V
(3)
-0.3 V至7 V
10 V
0.3 V至3 V
–1.2 V
内部限制
10
µA
-40 ° C至150℃
-65_C到150_C
1500 V
200 V
1500 V
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
接近绝对最大额定值为VIN引脚可能对PH引脚上的电压超过绝对最大额定值。
(2)
耗散额定值
(1)
包
8引脚DDA （ 2层电路板焊锡）
(3)
8引脚DDA （ 4层电路板焊锡）
(1)
(2)
(4)
热阻抗
结到环境
33°C/W
26°C/W
(3)
(4)
最大功率耗散可通过过电流保护的限制。
额定功率在特定的环境温度T
A
应为125 ℃的结温来确定。这是点
失真开始大幅增加。最终PCB的热管理应努力保持结温达到或
低于125 ℃，以获得最佳性能和长期的可靠性。看
热计算
本数据表中的应用更加节
信息。
测试板条件：
一。 3 ×3中，两个层，厚度： 0.062在
B 。 2盎司位于所述印刷电路板的顶部和底部的铜迹线
Ç 。该器件封装下的散热焊盘面积六散热孔
测试板条件：
一。 3 ×3中， 4层，厚度： 0.062在
B 。 2盎司位于所述印刷电路板的顶部和底部的铜迹线
Ç 。在两个内部层2盎司纯铜接地层
ð 。该器件封装下的散热焊盘面积六散热孔
2
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