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TPS51200DRCR 参数 Datasheet PDF下载

TPS51200DRCR图片预览
型号: TPS51200DRCR
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内容描述: 漏/源DDR终端稳压器 [SINK/SOURCE DDR TERMINATION REGULATOR]
分类和应用: 稳压器双倍数据速率
文件页数/大小: 35 页 / 1260 K
品牌: TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
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www.ti.com
SLUS812 - 2008年2月
详细说明
VO SINK / SOURCE稳压器
该TPS51200是专为低输入电压设计了一个吸入/源跟踪终端稳压器,
低成本,和低的外部元件数目系统中的空间是一个主要的应用程序的参数。该
TPS51200集成了一个高性能,低压差( LDO)线性稳压器,能够既采购
和吸收电流。 LDO稳压器采用快速反馈回路,使小型的陶瓷电容器即可
用于支持快速的负载瞬态响应。要实现严格的监管与跟踪的影响最小
性,远程检测端, VOSNS ,应该连接到输出正端
电容器(一些),为从VO高电流通路的单独跟踪。
基准输入(REFIN )
输出电压VO ,被调节到REFOUT 。当REFIN配置为标准的DDR终端
应用, REFIN可通过外部量比分压器连接到所述存储器供给设置
公交车( VDDQ ) 。该TPS51200支持从0.5 V REFIN电压为1.8 V ,使之灵活,适合于许多
种低功耗LDO应用。
参考输出( REFOUT )
当它被配置为DDR终端应用, REFOUT生成DDR VTT参考电压
内存的应用程序。它能够支持一个采购和下沉10 mA负载。 REFOUT
激活时, REFIN电压上升到0.390 V和VIN高于UVLO阈值。当REFOUT是
小于0.375 V,它被禁止并随后通过一个内部10 kΩ的MOSFET放电至GND 。
REFOUT是独立的EN引脚的状态。
软启动
在VO引脚的软启动功能是通过电流钳完成。电流钳可以使输出
电容器被充电,低和恒定电流,提供了线性斜坡上升的输出电压的。当
VO是电源良好窗口之外,当前的钳位电平是二分之一的全部过流限制( OCL)
的水平。当VO上升或下降的PGOOD窗口内,当前的钳位电平切换到完整的OCL电平。
软启动功能是完全对称的;它的工作原理,不仅从GND到REFOUT电压,而且还
从VLDOIN到REFOUT电压。
EN控制( EN )
当EN为高电平时, VO TPS51200稳压器开始正常工作。当EN为低电平, VO是
通过内部18 Ω MOSFET放电至GND 。 REFOUT仍当EN为低电平上。
电源良好功能( PGOOD )
该TPS51200提供一个开漏PGOOD输出高电平时, VO输出为±20%
REFOUT 。 PGOOD拉高在10
µs
后输出超过电源良好的窗口的大小。中
最初的VO启动时, PGOOD断言VO进入电源良好窗高2毫秒(典型值)之后。因为是PGOOD
漏极开路输出,一个100 kΩ的,上拉电阻PGOOD和稳定的主动电源电压轨之间
所需。
VO电流保护
该LDO具有恒定的过流限制( OCL ) 。需要注意的是,OCL电平由二分之一,当输出降低
电压不是电源良好范围内。这种减少是一个非闩锁的保护。
VIN UVLO保护
对于VIN欠压锁定( UVLO )保护功能, TPS51200监视VIN电压。当VIN电压
比UVLO门限电压时,无论是VO和REFOUT监管机构关闭。这是关机
非闭锁保护。
©2008 ,德州仪器
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