TPIC6B595
功率逻辑8位移位寄存器
SLIS032 - 1995年7月
D
D
D
D
D
D
D
低R
DS （ ON）
. . . 5
Ω
典型
雪崩能量。 。 。 30兆焦耳
八DMOS功率三极管的输出
150 mA的持续电流
500 - mA的典型电流限制能力
输出钳位电压。 。 。 50 V
设备的级联
低功耗
DW或N包装
（ TOP VIEW ）
描述
该TPIC6B595是一款单芯片，高电压，
介质流电源8位的移位寄存器
在要求相对系统设计用于
高负载功耗。该器件包含一个内置的
电压钳位感性输出
瞬态保护。功率驱动器应用
包括继电器，螺线管和其他中等
电流或高电压负荷。
该器件包含一个8位串行输入，并行输出
馈送一个8位D型存储移位寄存器
注册。同时通过移动数据传输，
上的上升沿存储寄存器
移位寄存器时钟（ SRCK ）和寄存器时钟
（ RCK ）表示。存储寄存器
SHIFT-时将数据传送到输出缓冲器
寄存器清零（ SRCLR ）为高。当SRCLR是
低，输入移位寄存器清零。当输出
使能（ G）时保持高电平时，所有的数据在输出
缓冲区保持低电平，所有的漏输出关闭。
当G为低，从存储寄存器数据
是透明的输出缓冲器。当数据
输出缓冲器为低电平时， DMOS晶体管
输出关闭。当数据为高时， DMOS-
晶体管输出具有吸收电流能力。
串行输出（ SER OUT ）允许级联
从移位的数据的寄存器，以附加
设备。
NC
V
CC
SER IN
DRAIN0
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN3
SRCLR
G
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
NC
GND
SER OUT
DRAIN7
DRAIN6
DRAIN5
DRAIN4
SRCK
RCK
GND
NC - 无内部连接
逻辑符号
†
G
RCK
SRCLR
SRCK
SER IN
9
12
8
13
3
R
EN3
C2
SRG8
C1
1D
2
4
5
6
7
14
15
16
17
2
18
DRAIN0
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN3
DRAIN4
DRAIN5
DRAIN6
DRAIN7
SER OUT
†这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984
和IEC出版617-12 。
输出低端，漏极开路DMOS晶体管的50 V和150 mA连续sink-额定输出
电流的能力。每路输出提供了在T 500 - mA的典型电流限制
C
= 25°C 。电流限制降低
随着结温的升高对其他设备的保护。
该TPIC6B595的特点是操作上的工作温度范围 - 40 ° C至125°C 。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
©
1995年，德州仪器
邮政信箱655303
•
达拉斯，德克萨斯州75265
1
TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
