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SLOS438C - 2004年12月 - 修订2007年3月
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
描述（续）
该TPA2012D2能够驱动1.4瓦/通道5 V或720毫瓦/通道，在3.6 V到8
Ω.
该TPA2012D2还
能够驱动4
Ω.
该TPA2012D2热限制在WCSP ，可能无法达到2.1 W /章4
Ω.
最大输出功率在WCSP由电路板以除去热量的能力来确定。该
输出功率与下面负载阻力曲线图示出了WCSP的热有限区域中相对于
QFN封装。该TPA2012D2提供的热和短路保护。
可选项
T
A
-40 ° C至85°C
包
2毫米×2毫米， 16球WCSP （ YZH ）
4毫米×4毫米20引脚QFN （ RTJ ）
产品型号
TPA2012D2YZH
TPA2012D2RTJ
符号
AKR
AKS
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度（除非另有说明）
(1)
价值
V
SS
V
I
T
A
T
J
T
英镑
(1)
电源电压AVDD ， PVDD
输入电压
连续总功率耗散
工作自由空气的温度范围内
工作结温范围
存储温度范围
在主动模式
在关断模式
-0.3〜 6.0
-0.3〜 7.0
-0.3到V
DD
+ 0.3
见耗散额定值表
-40到85
-40至150
-65到85
°C
°C
°C
单位
V
V
V
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
额定功耗表
包
RTJ
YZH
(1)
T
A
= 25°C
额定功率
(1)
5.2 W
1.2 W
降额
因素
41.6毫瓦/°C的
9.12毫瓦/°C的
T
A
= 75°C
额定功率
3.12 W
690毫瓦
T
A
= 85°C
额定功率
2.7 W
600毫瓦
使用2盎司跟踪和铜垫，其直接焊接于JEDEC标准的4层3在此数据被送往
×
3在PCB上。
推荐工作条件
民
V
SS
V
IH
V
IL
T
A
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
AVDD ， PVDD
SDL ， SDR ， G0 ， G1
SDL ， SDR ， G0 ， G1
÷40
2.5
1.3
0.35
85
最大
5.5
单位
V
V
V
°C
工作自由空气的温度
2
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