电气规格
5.8
存储器和并行I / O接口的时序
外部存储器读取可连续或不连续模式下的控制下进行
在BSCR CONSEC位。表5-8和表5-9假设检验在推荐工作条件
与MSTRB = 0和H = 0.5吨
C( CO)
(见图5-5和图5-6 ) 。
表5-8 。存储器读时序要求
民
访问时间,读取地址数据访问
有效的,第一次读访问
†
对于访问不会立即跟随
保持工作
对于读访问紧跟在
保持工作
7
0
最大
4H−9
4H−11
2H−9
单位
ns
ns
ns
ns
ns
5.8.1存储器读
t
a(A)M1
t
a(A)M2
t
苏(D )R
t
ħ (D )R
†
访问时间,读取地址有效,连续的读访问数据访问
†
建立时间,在CLKOUT低读取数据有效
保持时间,读取数据有效后CLKOUT低
地址,读/写,PS ,DS和IS定时都包含在作为地址引用的定时。
表5-9 。内存读取开关特性
参数
对于访问不会立即跟随
保持工作
对于读访问紧跟在
保持工作
民
−
1
−
1
−
1
0
最大
4
6
4
4
单位
ns
ns
ns
ns
t
D( CLKL -A )
t
D( CLKL - MSL )
t
D( CLKL - MSH )
†
延迟时间CLKOUT低到地址有效
†
时间,
延迟时间, CLKOUT低到MSTRB低
延迟时间, CLKOUT低到高MSTRB
地址,读/写,PS ,DS和IS定时都包含在作为地址引用的定时。
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SPRS007D
2001年11月
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修订后的2004年4月