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SCES212V - 1999年4月 - 修订2010年2月
单路2输入正与非门
检查样品：
1
特点
可以在德州仪器采用NanoStar ™
包
支持5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
最大牛逼
pd
3.8 ns的电压为3.3 V
低功耗， 10 - mA的最大I
CC
± 24 mA输出驱动电压为3.3 V
DBV包装
（ TOP VIEW ）
DCK包装
（ TOP VIEW ）
•
•
•
•
•
•
•
•
•
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
DRL包装
（ TOP VIEW ）
YZP包装
（底视图）
A
B
GND
1
5
V
CC
A
B
1
2
3
5
V
CC
A
B
GND
1
2
3
5
V
CC
Y
GND
B
A
3 4
2
1 5
Y
V
CC
2
4
GND
4
4
Y
3
Y
请参见机械图纸尺寸。
描述/订购信息
这种单2输入正与非门是专为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
该SN74LVC1G00执行布尔函数Y = A
●
B或Y = A + B的正逻辑。
采用NanoStar ™封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了模为
封装。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出，
防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。
订购信息
(1)
T
A
包
(2)
采用NanoStar ™ - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZP
（无铅）
-40 ° C至85°C
SOT （ SOT - 23 ） - DBV
SOT （ SC - 70 ） - DCK
SOT （ SOT - 553 ） - DRL
(1)
(2)
(3)
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
4000卷
订购型号
SN74LVC1G00YZPR
SN74LVC1G00DBVR
SN74LVC1G00DBVT
SN74LVC1G00DCKR
SN74LVC1G00DCKT
SN74LVC1G00DRLR
CA-
顶部端标记
(3)
_ _ _ CA_
C00_
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
包装图纸，热数据和符号可在
DBV / DCK / DRL ：实际的顶部端标记有一个指定的晶圆制造/装配现场一个额外的字符。
YZP ：实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年，月，和序列码，和一个
字符来指定晶圆厂/装配现场。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅，
●
=无铅） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
1
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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