销刀豆网络gurations
顶视图
DIP / SOIC
绝对最大额定值
(1)
电源电压................................................ ..................................
±18V
输入电压范围.............................................. + V
S
+ 2V至-V
S
– 2V
差分输入范围............................................... ........总V
S
+ 4V
功耗................................................ ........................ 1000MW
工作温度
男包................................................ .................. -55 ° C至+ 125°C
P，U套餐.............................................. ............... -40 ° C至+ 125°C
储存温度
男包................................................ .................. -65 ° C至+ 150°C
P，U套餐.............................................. ............... -40 ° C至+ 125°C
结温
男包................................................ ............................. + 175℃
P，U套餐.............................................. ............................... + 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ........................................... ... + 300℃
SOLC （焊接， 3S ） ............................................ ....................... + 260℃
注： （ 1 ）工作条件超过这些额定值可能会造成永久性的损害。
偏移微调
✱In
+ IN
–V
S
1
2
3
4
8
7
6
5
无内部连接
+V
S
产量
偏移微调
顶视图
无内部连接
8
偏移微调
1
7
+V
S
TO-99
封装/订购信息
产品
OPA627AP
OPA627BP
OPA627AU
OPA627AM
OPA627BM
OPA627SM
OPA637AP
OPA637BP
OPA637AU
OPA637AM
OPA637BM
OPA637SM
包
塑料DIP
塑料DIP
SOIC
TO- 99金属
TO- 99金属
TO- 99金属
塑料DIP
塑料DIP
SOIC
TO- 99金属
TO- 99金属
TO- 99金属
封装图
数
(1)
006
006
182
001
001
001
006
006
182
001
001
001
温度
范围
-25 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
-25 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
✱In
2
6
产量
3
+ IN
4
–V
S
情况下连接到-V
S
.
5
偏移微调
注： （ 1 ）有关详细的图纸和维表，请参阅数据结束
片，或的Burr-Brown IC数据手册附录C 。
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。的Burr-Brown
建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作
和安装程序，会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能降解
重刑完成设备故障。精密集成电路
可能更容易受到损伤，因为非常小的
参数变化可能导致设备不能满足其
公布的规格。
®
3
OPA627 ， 637
TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
