MOC3020 MOC3023 THRU
光耦合器/光隔离器
SOES025 - 1986年10月 - 修订1995年10月
在25℃下自由空气的温度的电特性（除非另有说明）
参数
IR
VF
我（DRM）的
dv / dt的
dv / dt的（C ）
静态反向电流
静态正向电压
断态重复当前，任何一个方向
断态电压临界上升率
整流电压临界上升率
MOC3020
IFT
输入触发电流，
I
i
任一方向
MOC3021
MOC3022
MOC3023
VTM
IH
峰值通态电压，任一方向
保持电流，两个方向
ITM =百毫安
输出电源电压= 3V
O
l
l
VR = 3 V
IF = 10毫安
V（ DRM ） = 400 V ，
见图1
IO = 15 mA时，
见注5
见图1
测试条件
民
典型值
0.05
1.2
10
100
0.15
15
8
5
3
1.4
100
30
15
10
5
3
V
µA
mA
A
最大
100
1.5
100
单位
µA
V
nA
V / μs的
V / μs的
注5：测试电压必须在速率不大于12伏/微秒更高施加。
参数测量信息
VCC
1
6
VI = 30 V RMS
RL
2
10 kΩ
输入
（见注一）
2N3904
4
注A.关断状态电压的上升的临界速度，的dv / dt ，则在0V输入电压的频率被增加，直到所测量的与所述输入
可控硅导通。这个频率被用于计算所述的dv /根据公式dt的：
DT的dV
+
2
2πfV
in
换向电压， dv / dt的（ c）所示，上升的临界速率由施加偶然的5V脉冲到输入和增加的测量
Vin的输入脉冲后的频率，直到光敏可控硅停留在（锁存器）已经停止。没有进一步的输入脉冲，所述
Vin的频率，然后逐渐下降，直至光敏可控硅关断。在该关断发生然后可使用的频率
根据以上所示的公式来计算的dv / dt （ c）所示。
崛起测试电路如图1爆击率
7–2
邮政信箱655303
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达拉斯，德克萨斯州75265
TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
