SNVS018V - 2000年3月 - 修订2013年6月
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1) (2)
存储温度范围
工作结温范围
铅温度。 （焊接， 5秒）
ESD额定值
(3)
功耗
(4)
−65°C
至+ 150°C
−40°C
至+ 125°C
260°C
2千伏
内部限制
−0.3V
至+ 16V
2.5V至+ 16V
−0.3V
至+ 16V
−0.3V
至+ 9V
短路保护功能
−0.3V
至+ 16V
输入电源电压（生存）
输入电源电压（工作）
关断输入电压（生存）
输出电压（生存，见
(5)
)
I
OUT
（生存）
输入 - 输出电压（生存，见
(6)
)
(1)
(2)
(3)
(4)
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。电气规格不适用
工作在其额定工作条件外的设备时。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
引脚3和4的SOT- 23封装，引脚或5和2的DSBGA封装的ESD额定值，为1千伏。
最大允许功耗是最高结温，T的函数
J
（ MAX ） ，结到环境的热
性，
θ
J- á
和环境温度，T
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗的计算
使用：
哪里
的（ a）的值
θ
J- á
为SOT- 23封装为220 ℃/在一个典型的印刷电路板安装和W的DSBGA包
为225 ° C / W 。
(5)
(6)
超过最大允许功耗会导致芯片温度过高，而监管机构将进入热关断。
对于12V的选项，输出电压的生存： -0.3〜 + 16V 。如果在一其中所述调节器的负载被返回到一个负双电源系统中使用的
供应方面， LP2985 -N的输出必须是二极管钳位到地。
的输出PNP结构包含在V之间的二极管
IN
到V
OUT
终端，它通常是反向偏置。反向极性
从V
IN
到V
OUT
将打开该二极管。
电气特性
(1)
在标准字体限为T
J
= 25℃。而在极限
黑体字
适用于在整个工作温度范围内。
除非另有规定： V
IN
= V
O
（ NOM ） + 1V ，我
L
= 1毫安，C
IN
= 1 μF ，C
OUT
= 4.7 μF ，V
开/关
= 2V.
符号
ΔV
O
参数
输出电压
公差
I
L
= 1毫安
1毫安
≤
I
L
≤
50毫安
1毫安
≤
I
L
≤
150毫安
输出电压
线路调整
V
O
(NOM)+1V
≤
V
IN
≤
16V
0.007
条件
典型值
LP2985AI-X.X
(2)
民
−1.0
−1.5
−2.5
−2.5
−3.5
最大
1.0
1.5
2.5
2.5
3.5
0.014
0.032
LP2985I-X.X
(2)
民
−1.5
−2.5
−3.5
−3.0
−4.0
最大
1.5
2.5
3.5
3.0
4.0
0.014
0.032
%/V
%V
喃
单位
(1)
(2)
该DSBGA设备暴露在阳光直射会造成误操作。看
了解更多信息。
限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，确保了使用的统计相关性
质量控制（ SQC）方法。这些限制被用来计算TI的平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
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