SNOS753E - 1999年8月 - 修订2013年3月
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
ESD容差
(3)
(1) (2)
SOT- 23封装
PDIP封装
2000V
1500V
●电源电压
(V
+
) + 0.3V, (V
−
)
−
0.3V
11V
± 5毫安
= 30毫安
30毫安
260°C
−65°C
至+ 150°C
150°C
差分输入电压
电压输入/输出引脚
电源电压（V
+
−
V
−
)
目前，在输入引脚
目前，在输出引脚
(4)
目前在电源引脚
铅温度。 （焊接， 10秒）
存储温度范围
结温
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(5)
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件
该装置旨在是功能性的，但具体的性能无法确保。为确保的规格和试验
条件，请参阅电气特性。
如果是用于军事/航空专用设备，请联系TI销售办事处/经销商咨询具体可用性和规格。
人体模型是通过1.5 kΩ的串联100 pF的。
适用于单电源和分离电源工作。在升高的环境温度下连续短路动作可能会导致
超过150℃的最大允许结温。
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
和T
A
。在任何环境中最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J（下最大）
−
T
A
)/θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
(1)
工作额定值
电源电压
2.5V
≤
V
+
≤
11V
LMC7111AI ， LMC7111BI
8引脚PDIP
5引脚SOT- 23
−40°C ≤
T
J
≤
+85°C
115°C/W
325°C/W
结温范围
热阻（ θ
JA
)
(1)
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件
该装置旨在是功能性的，但没有指定特定的性能。为确保的规格和试验
条件，请参阅电气特性。
2.7V DC电气特性
除非另有说明，所有参数对于T指定
J
= 25 ° C，V
+
= 2.7V, V
−
= 0V, V
CM
= V
O
= V
+
/ 2和R
L
> 1 MΩ 。
粗体
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
TCV
OS
I
B
I
OS
R
IN
+ PSRR
-PSRR
参数
输入失调电压
输入失调电压
平均漂移
输入偏置电流
输入失调电流
输入阻抗
正电源。
抑制比
负电源
抑制比
2.7V
≤
V
≤5.0V,
V
−
= 0V, V
O
= 2.5V
−2.7V ≤
V
−
≤−5.0V,
V
−
= 0V, V
O
= 2.5V
+
条件
V
+
= 2.7V
典型值
0.9
2.0
(1)
LMC7111AI
极限
(2)
3
5
LMC7111BI
极限
(2)
7
9
单位
mV
最大
μV/°C
SEE
SEE
(3)
0.1
0.01
>10
60
60
1
20
0.5
10
55
50
55
50
1
20
0.5
10
55
50
55
50
pA
最大
pA
最大
TERA
Ω
dB
民
dB
民
(3)
(1)
(2)
(3)
2
典型值代表最可能的参数指标。
所有参数均通过测试或统计分析说明。
偏置电流指定的设计和加工。
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